[发明专利]电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法

权利要求书

1.一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，

该电阻测量装置的特征在于，具有：

探测单元，其与所述导电性膜相对地配置；

扫描单元，其使所述探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及

运算单元，其基于由所述探测单元测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，

所述运算单元具有存储在所述非输送区域测量出的参照电压的存储器，

基于所述参照电压来校正通过所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。

2.根据权利要求1所述的电阻测量装置，其特征在于，

当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，所述运算单元将所述参照电压存储于所述存储器至少1次。

3.一种膜制造装置，其为制造在一方向上较长的导电性膜的装置，

该膜制造装置的特征在于，具有：

层叠单元，其将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；

输送单元，其输送所述导电性膜；以及

权利要求1所述的电阻测量装置，其测量由所述输送单元输送的所述导电性膜的薄层电阻。

4.一种导电性膜的制造方法，其为制造在一方向上较长的导电性膜的方法，

该导电性膜的制造方法的特征在于，具有：

层叠工序，在该工序中，将导电层层叠于在所述一方向上较长的基材膜来制作导电性膜；以及

电阻测量工序，在该工序中，一边将所述导电性膜沿所述一方向输送，并且使探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的薄层电阻，

所述电阻测量工序具有：

参照电压测量工序，在该工序中，在所述非输送区域测量参照电压；

实际电压测量工序，在该工序中，一边使所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描，一边测量所述导电性膜的实际电压；以及

计算工序，在该工序中，基于所述参照电压校正所述实际电压，计算所述导电性膜的薄层电阻。

5.根据权利要求4所述的导电性膜的制造方法，其特征在于，

当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，至少实施1次所述参照电压测量工序。