[发明专利]电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法

说明书

电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，其特征在于，具有：探测单元，其与导电性膜相对地配置；扫描单元，其使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由探测单元测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻，运算单元具有存储在非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于参照电压来校正通过探测单元在输送区域沿交叉方向扫描而测量的实际电压。

技术领域

本发明涉及电阻测量装置、膜制造装置以及导电性膜的制造方法。

背景技术

以往通过卷对卷方式在基材膜上层叠导电膜来制造导电性膜。所制造的导电性膜要求其表面电阻(薄层电阻)处于期望的范围内，因此，需要测量表面电阻来发现表面电阻的品质不良。作为其方法，众所周知一种在卷取导电性膜之前使用非接触式电阻测量装置来测量导电性膜的表面电阻的方法(例如参照下述专利文献1)。

下述专利文献1的非接触式表面电阻测量装置具有：涡流传感器，其由涡流产生部和涡流检测部构成；以及温度传感器，其检测涡流传感器的温度。

在下述专利文献1的装置中，基于涡流传感器和温度传感器的检测结果，计算导电性膜的表面电阻值。因此，能够降低因涡流传感器内的线圈温度上升导致线圈的热导率变化而引起的测量误差。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-197034号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在实施长时间的测量的情况下，在上述专利文献1的装置中，也会发生所测量的导电性膜的测量误差变大这样的不良情况。

本发明的发明人研究了该测量误差，发现在由温度传感器检测出的温度和电压的关系中发生了滞后。即，当长时间测量时，由于温度传感器、线圈等的设备特性，导致在加热线圈和冷却线圈时，即使在相同的温度下，所检测的电压也产生不同。并且，在由专利文献1的装置中的温度传感器进行的校正中，未考虑到滞后等设备特性所产生的误差。

本发明在于提供即使在长时间测量导电性膜的薄层电阻的情况下，测量精度也良好的电阻测量装置、具有该电阻测量装置的膜制造装置以及导电性膜的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种电阻测量装置，其为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，该电阻测量装置的特征在于，具有：探测单元，其与所述导电性膜相对地配置；扫描单元，其使所述探测单元跨所述导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与所述一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由所述探测单元测量的电压来计算所述导电性膜的薄层电阻，所述运算单元具有存储在所述非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于所述参照电压来校正通过所述探测单元在所述输送区域沿所述交叉方向扫描而测量出的实际电压。

在该电阻测量装置中，使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地扫描，基于在非输送区域测量出的参照电压来校正在输送区域测量出的实际电压。

因此，能够对测量过程中的非输送区域的参照电压进行测量，并基于该参照电压来校正实际电压。因而，能够基于考虑到了长时间测量时在探测单元产生的滞后等设备特性的参照电压，来校正实际电压，计算薄层电阻。其结果是，能够提高导电性膜的薄层电阻的测量精度(测量的准确性)。

本发明[2]包括[1]所述的电阻测量装置，其特征在于，当所述探测单元在所述非输送区域和所述输送区域每往返一次或者往返多次时，所述运算单元将所述参照电压存储于所述存储器至少1次。