[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有：

在基材之上形成第1半导体层的工序；

在所述第1半导体层之上形成掩模的工序；

使用所述掩模对所述第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；

在与所述半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与所述掩模接触的凸部；

凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除所述凸部；以及

再生长层形成工序，向所述半导体构造及所述第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，

在同一制造装置内连续地实施所述凸部去除工序及所述凸部去除工序后的所述再生长层形成工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述再生长层形成工序中供给所述蚀刻气体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述凸部去除工序中供给所述原料气体。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述凸部去除工序中供给所述原料气体，

在所述再生长层形成工序中供给所述蚀刻气体。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其中，

与所述再生长层形成工序相比，所述凸部去除工序的所述原料气体的流量小。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述凸部去除工序中，在所述凸部以外的区域，高度几乎不变。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述蚀刻气体是卤素类气体。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体构造是台面构造，

所述第2半导体层是电流阻挡层，

所述半导体装置是半导体激光器。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基材是第1导电型InP衬底，

所述第1半导体层从下层朝向上层而依次具有第1导电型InP包层、InGaAsP有源层、第一第2导电型InP包层，

所述第2半导体层是半绝缘性的InP填埋层，

所述再生长层是第二第2导电型InP包层，

所述原料气体是TMI气体。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体构造是DFB构造，

所述第2半导体层是EA构造，

所述半导体装置是EML。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体构造是EA构造，

所述第2半导体层是DFB构造，

所述半导体装置是EML。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基材是在第1导电型InP衬底之上层叠了第1导电型InP包层而成的，

所述第1半导体层从下层朝向上层而依次具有InGaAsP有源层、第一第2导电型InP包层，

所述EA构造从下层朝向上层而依次具有InGaAsP芯层、第二第2导电型InP包层，

所述再生长层是第2导电型InGaAs接触层，

所述原料气体是TMI气体。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基材是在第1导电型InP衬底之上层叠了第1导电型InP包层而成的，

所述第1半导体层从下层朝向上层而依次具有InGaAsP有源层、第一第2导电型InP包层，

所述EA构造从下层朝向上层而依次具有InGaAsP芯层、第二第2导电型InP包层，

所述再生长层是第2导电型InGaAs接触层，

所述原料气体是TMI气体。