[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置的制造方法。具有：在基材之上形成第1半导体层的工序；在第1半导体层之上形成掩模的工序；使用掩模对第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；在与半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与掩模接触的凸部；凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除凸部；以及再生长层形成工序，在半导体构造及第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，在同一制造装置内实施凸部去除工序及再生长层形成工序。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

在制造半导体装置时，大多进行使用了绝缘膜掩模的局部蚀刻和再生长。例如，在具有台面构造的半导体激光器的制造中，使用条带状的绝缘膜掩模对在衬底之上层叠的半导体层进行蚀刻，由此形成台面构造，在台面构造的两侧使半绝缘性的填埋层生长，去除掩模，在台面构造及填埋层之上使包层、接触层再生长。

在通过上述方法制造了半导体激光器的情况下，填埋层的掩模附近处的体积由于选择生长效应而变大，在去除掩模后的表面会出现凸部。如果在这样的高度局部不同的表面构造之上使包层及接触层生长，则由于各面方位的生长速度的不同，位错发生传播。其结果，在半导体激光器的表面产生凹坑，会诱发外观不良、之后的蚀刻工序中的异常蚀刻等。

作为该问题的解决方法，已知在通过湿蚀刻而去除凸部之后，使包层再生长的方法(例如专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-162500号公报

发明内容

但是，在通过湿蚀刻而去除凸部的情况下，由于湿蚀刻工序与之后的包层的再生长工序所使用的制造装置不同，因此产生了将制造中途的半导体装置在湿蚀刻之后暴露于大气的需要。如此，不能将其表面保持为清洁的状态。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供在清洁的状态下的表面之上使半导体层再生长的半导体装置的制造方法。

本发明涉及的半导体装置的制造方法具有：在基材之上形成第1半导体层的工序；在第1半导体层之上形成掩模的工序；使用掩模对第1半导体层进行蚀刻，形成半导体构造的工序；在与半导体构造的侧面接触的区域形成第2半导体层的工序，该第2半导体层具有与掩模接触的凸部；凸部去除工序，供给蚀刻气体而去除凸部；以及再生长层形成工序，向半导体构造及第2半导体层之上供给原料气体而形成再生长层，在同一制造装置内实施凸部去除工序及再生长层形成工序。

发明的效果

如果使用本发明的制造方法，则由于在同一制造装置内实施凸部的去除和之后的半导体层的再生长，因此能够制造在清洁的状态下的表面之上再生长出半导体层的半导体装置。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体激光器的制造方法的剖面图。

图3是表示实施方式1涉及的半导体激光器的制造方法的剖面图。

图4是表示去除凸部的状态的剖面图。

图5是表示实施方式2涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图6是表示实施方式3涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图7是表示实施方式4涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图8是表示实施方式5涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图9是表示实施方式6涉及的半导体激光器的制造方法的气体供给状况的图。

图10是表示实施方式7涉及的EML的制造方法的剖面图。