[发明专利]有机EL装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL装置，其特征在于，其包括：

基板、驱动电路层、第一无机保护层、有机平坦化层、第二无机保护层、有机EL元件层、薄膜密封结构，

所述驱动电路层包括：

多个TFT，其形成在所述基板上；

多条栅极总线和多条源极总线，其分别与所述多个TFT的任一个连接；

多个端子；

多条引出配线，其使所述多个端子与所述多条栅极总线或所述多条源极总线的任一条连接，所述第一无机保护层形成于所述驱动电路层上，至少露出所述多个端子，

所述有机平坦化层是形成在所述第一无机保护层上的有机平坦化层，且具有算术平均粗糙度Ra超过50nm的表面，

所述第二无机保护层是形成于所述有机平坦化层上的第二无机保护层，且具有算术平均粗糙度Ra为50nm以下的表面，

所述有机EL元件层形成在所述第二无机保护层上，且具有分别与所述多个TFT的任一个连接的多个有机EL元件，

所述薄膜密封结构以覆盖所述有机EL元件层的方式形成，具有第一无机屏障层、与所述第一无机屏障层的上表面接触的有机屏障层以及与所述有机屏障层的上表面接触的第二无机屏障层，所述有机屏障层形成在由无机屏障层连接部包围的区域内，所述无机屏障层连接部与所述第一无机屏障层和所述第二无机屏障层直接接触，

从所述基板的法线方向观察时，在形成有所述第一无机保护层的区域内形成有所述有机平坦化层，在形成有所述有机平坦化层的区域内配置有所述多个有机EL元件，所述薄膜密封结构的外缘与所述多条引出配线交叉，且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述第一无机保护层的外缘之间，

在所述多条引出配线上所述第一无机保护层与所述第一无机屏障层直接接触的部分中，所述第一无机屏障层的、与所述多条引出配线的线宽方向平行的截面形状中的侧面的锥角小于90°。

2.根据权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于，所述第一无机屏障层的所述侧面的所述锥角小于70°。

3.根据权利要求1或2所述的有机EL装置，其特征在于，所述有机平坦化层由不具有感光性的树脂形成。

4.根据权利要求1或2所述的有机EL装置，其特征在于，所述有机平坦化层由聚酰亚胺形成。

5.一种制造方法，是权利要求1至4中任一项所述的有机EL装置的制造方法，其特征在于，

所述制造方法包括：

工序A，在所述基板上形成所述驱动电路层；

工序B，在驱动电路层上形成第一无机保护膜；

工序C，在所述第一无机保护膜上形成有机平坦化膜；

工序D，在所述有机平坦化膜上形成第二无机保护膜；

工序E，对所述第二无机保护膜的表面实施化学机械研磨；

工序F，通过对所述第一无机保护膜、所述有机平坦化膜及所述第二无机保护膜进行图案化，得到所述第一无机保护层、所述有机平坦化层及所述第二无机保护层；

工序G，将所述有机平坦化层加热至100℃以上的温度；

工序H，在所述工序G之后，在上述第二无机保护层上形成上述有机EL元件所包含的有机层。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述工序F包含一并形成贯通所述第一无机保护膜、所述有机平坦化膜及所述第二无机保护膜的接触孔的工序。

7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序F之后且所述工序G之前，还包括：

形成覆盖所述有机平坦化层的正型光致抗蚀剂膜的工序F1；以及

通过将所述光致抗蚀剂膜进行整面曝光后进行显影来除去所述光致抗蚀剂膜的工序F2。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序Fl与所述工序F2之间还包括保管或搬运所述光致抗蚀剂膜形成的所述基板的工序。