[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板，其在主面形成有槽；

第一导电型的漂移区域，其具有在所述槽的底部配置的部分；

第二导电型的阱区，其与所述漂移区域连接，并配置在所述槽的一方的侧面；

第一导电型的第一半导体区域，其与所述漂移区域分离，在所述槽的所述侧面配置在所述阱区的表面；

第一导电型的第二半导体区域，其在所述槽的内部间隔着所述漂移区域而与所述阱区对置配置；

栅电极，其配置在栅极沟槽的内部配置，与所述阱区对置，所述栅极沟槽跨越所述阱区及所述第一半导体区域各自的上表面而形成有开口部且在所述槽的深度方向上延伸。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域从所述槽的所述侧面至所述槽的底部连续地配置，

所述阱区在所述槽的所述侧面配置在所述漂移区域的表面。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板为绝缘性基板。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域的在所述槽的底部配置的部分具有沿所述侧面延伸的所述槽的长度方向交替地配置第一导电型区域与第二导电型区域的结构。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域的在所述槽的底部配置的部分具有沿所述槽的深度方向将第一导电型区域与第二导电型区域层压的结构。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

设定所述第一导电型区域与所述第二导电型区域的杂质浓度，以在所述第一半导体区域与第二半导体区域之间流动的主电流被切断的截止状态下，使所述第一导电型区域与所述第二导电型区域被耗尽层耗尽，所述耗尽层从在所述第一导电型区域与所述第二导电型区域的边界形成的pn结开始延伸。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具有：

第一主电极，其在所述槽的所述侧面配置在所述第一半导体区域的表面，与所述第一半导体区域电连接；

第二主电极，其与所述第一主电极对置而配置在所述槽的内部，并与所述第二半导体区域电连接；

隔离绝缘膜，其在所述第一主电极与所述第二主电极之间填埋所述槽的内部而配置；

所述隔离绝缘膜的由所述第一主电极与所述第二主电极夹着的部分由与所述槽的所述侧面并列延伸的分割槽分割。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的主面形成槽的工序；

形成具有在所述槽的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域的工序；

在所述槽的一方的侧面形成与所述漂移区域连接的第二导电型的阱区的工序；

在所述槽的所述侧面且在所述阱区的表面形成与所述漂移区域分离的第一导电型的第一半导体区域的工序；

在所述槽的内部形成间隔着所述漂移区域而与所述阱区对置的第一导电型的第二半导体区域的工序；

形成跨越所述阱区及所述第一半导体区域各自的上表面而形成有开口部且在所述槽的深度方向上延伸的栅极沟槽的工序；

在所述栅极沟槽的内部形成与所述阱区对置的栅电极的工序；

并通过向所述基板离子注入杂质来形成所述漂移区域。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过向所述基板离子注入杂质，形成所述阱区、所述第一半导体区域及所述第二半导体区域。

10.如权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

从所述槽的所述侧面至所述槽的底部连续地形成所述漂移区域，

通过从所述槽的开口部向所述槽的所述侧面倾斜地打入杂质的离子注入，形成所述漂移区域的在所述槽的所述侧面形成的部分、在所述槽的所述侧面形成于所述漂移区域的表面的所述阱区、以及在所述阱区的表面形成的所述第一半导体区域。