[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了提高半导体装置的性能，已在进行技术开发。例如，已经公开一种半导体装置，其为了缩小单位单元的尺寸来改善耐压性-导通电阻的折衷特性，在半导体基板的表面层的一部分形成的沟槽的底部形成漏极区，并使沟槽的侧面为漂移区域(参照专利文献1)。在该半导体装置中，在埋入沟槽内部的导电体之上设有漏电极。而且，基极区及源极区在非沟槽部的半导体基板的表面层形成，是漏极区与源极区隔着栅电极而配置的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开平08-181313号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在源极区与漏极区隔着栅电极配置的结构中，源极区正下方的区域对晶体管的操作没有帮助。因此，晶体管的芯片面积未被有效使用，存在需要额外的面积之类的问题。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制晶体管的芯片面积。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的半导体装置的主旨在于，具有：在基板形成的槽的底部配置的漂移区域、在槽的侧面层压的阱区及源极区、以及在槽的内部配置的漏极区，在跨越阱区与源极区的上表面而形成有开口部的槽的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置有栅电极。

本发明的其它方式的半导体装置的制造方法的主旨在于，包括：在基板形成的槽的底部形成漂移区域的工序、在槽的侧面将阱区与源极区层压的工序、以及在槽的内部构成漏极区的工序，在跨越阱区与源极区的上表面而形成有开口部的槽的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部形成栅电极。

发明的效果

根据本发明，能够提供可抑制晶体管的芯片面积的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式的半导体装置的结构的示意性立体图。

图2是表示本发明第一实施方式的半导体装置的主电流的电流路径的、沿着图1的II-II方向的剖视图。

图3是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的耗尽层的扩展的示意图。

图4是表示本发明第一实施方式的半导体装置的栅极沟槽的示意性俯视图。

图5是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(之一)。

图6是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(之二)。

图7是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(之三)。

图8是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(之四)。

图9是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(之五)。