[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：

准备载体，该载体具有载体基板、电极层、阻挡层、毛刺以及焊料，该载体基板具有第1端面和与所述第1端面相对的第2端面，该电极层设置于所述载体基板之上，该阻挡层设置于所述电极层之上，在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面或者所述第2端面的至少一者，该毛刺位于所述阻挡层的侧面，比所述阻挡层高，该焊料在所述阻挡层之上，在俯视观察时从所述载体基板的全部端面退后地设置；

将具有发光条带区域和所述发光条带区域左右的相邻区域的激光芯片搭载于所述焊料之上，使所述激光芯片位于所述第1端面的正上方和所述第2端面的正上方；以及

使加热后的所述焊料在其浸润扩展由于所述毛刺而受到限制的同时，在所述第1端面或者所述第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，所述延伸部将所述激光芯片与所述阻挡层直接连接，

与所述激光芯片的谐振器方向正交的方向即正交方向上的所述焊料的长度随着从所述第1端面侧和所述第2端面侧的一者向另一者行进而变小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阻挡层在俯视观察时达到至所述第1端面和所述第2端面，所述延伸部在俯视观察时达到至所述第1端面和所述第2端面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

与所述激光芯片的谐振器方向正交的方向即正交方向上的所述阻挡层以及所述焊料的长度小于或等于所述正交方向上的所述激光芯片的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述焊料的一端，所述正交方向上的长度比所述发光条带区域的所述正交方向上的长度短，在所述焊料的另一端，所述正交方向上的长度比所述发光条带区域的所述正交方向上的长度长。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阻挡层在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面，在俯视观察时在所述第2端面与所述阻挡层之间存在所述毛刺。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阻挡层通过剥离法而形成，在剥离时产生所述毛刺。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

准备载体，该载体具有载体基板、电极层、阻挡层、毛刺以及焊料，该载体基板具有第1端面和与所述第1端面相对的第2端面，该电极层设置于所述载体基板之上，该阻挡层设置于所述电极层之上，在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面或者所述第2端面的至少一者，该毛刺位于所述阻挡层的侧面，比所述阻挡层高，该焊料在所述阻挡层之上，在俯视观察时从所述载体基板的全部端面退后地设置；

将具有发光条带区域和所述发光条带区域左右的相邻区域的激光芯片搭载于所述焊料之上，使所述激光芯片位于所述第1端面的正上方和所述第2端面的正上方；以及

使加热后的所述焊料在其浸润扩展由于所述毛刺而受到限制的同时，在所述第1端面或者所述第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，所述延伸部将所述激光芯片与所述阻挡层直接连接，

所述阻挡层在俯视观察时仅达到至所述载体基板的端面中的所述第1端面，在俯视观察时在所述第2端面与所述阻挡层之间存在所述毛刺，

所述焊料越向所述第1端面侧行进，则与所述激光芯片的谐振器方向正交的方向即正交方向上的长度越短。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述阻挡层通过剥离法而形成，在剥离时产生所述毛刺。