[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

具有以下工序：准备载体；将具有发光条带区域和相邻区域的激光芯片搭载于焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接，该载体具有：载体基板，其具有第1端面和第2端面；电极层，其设置于该载体基板之上；阻挡层，其设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者；毛刺，其位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高；以及该焊料，其在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

就公知的光模块而言，通过在载体(Submount)电极与例如将AuSn作为材料的焊料之间设置阻挡层，从而抑制焊料的扩展。阻挡层的材料是Pt。抑制焊料的浸润扩展的效果是通过由阻挡层防止焊料与载体电极的Au的反应而得到的。并且，还考虑在形成Pt图案时的剥离时所产生的毛刺成为障碍而防止焊料的扩展。通过设置阻挡层而抑制焊料的扩展，从而能够防止以下情况，即，焊料在整个载体浸润扩展而无法确保导线键合区域。

在专利文献1中，公开了在AuSn焊料层的熔融时，由于阻挡层即Pt层的存在，该AuSn焊料层不与Au层进行反应而保持作为焊料的性质。

专利文献1：日本特开平5-190973号公报

发明内容

如果连载体的端部即切断线处也存在焊料，则有可能在切断时产生焊料毛刺，造成特性恶化及可靠性下降。为了防止这种情况，需要使焊料与载体的端部相比向内侧退入而形成。即，仅在与载体的端面相比希望退后的部位设置焊料。在向以上述方式准备的载体焊接激光芯片时，在激光芯片之下被按压的焊料容易向存在焊料的区域即与谐振器相差了90°的方向行进，不易向不存在焊料的谐振器方向行进。因此，存在激光芯片的端面不易被焊料浸润，散热性差的问题。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供半导体装置的制造方法，在该半导体装置的制造方法中，为了确保导线键合区域，抑制在与谐振器相差了90°的方向上的焊料的浸润扩展，并且为了提高散热性，焊料容易浸润至载体的端部或者其附近。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有以下工序：准备载体，该载体具有载体基板、电极层、阻挡层、毛刺以及焊料，该载体基板具有第1端面和与该第1端面相对的第2端面，该电极层设置于该载体基板之上，该阻挡层设置于该电极层之上，在俯视观察时仅达到至该载体基板的端面中的该第1端面或者该第2端面的至少一者，该毛刺位于该阻挡层的侧面，比该阻挡层高，该焊料在该阻挡层之上，在俯视观察时从该载体基板的全部端面退后地设置；将具有发光条带区域和该发光条带区域左右的相邻区域的激光芯片搭载于该焊料之上，使该激光芯片位于该第1端面的正上方和该第2端面的正上方；以及使加热后的该焊料在其浸润扩展由于该毛刺而受到限制的同时，在该第1端面或者该第2端面的方向浸润扩展而形成延伸部，该延伸部将该激光芯片与该阻挡层直接连接。

本发明的其它特征在下面得以明确。

发明的效果

通过阻挡层的毛刺而限制熔融后的焊料的延伸方向，使焊料延伸至激光芯片的前端面侧或者后端面侧，因此能够确保导线键合区域，并且使焊料浸润扩展至载体的端部或者其附近。

附图说明

图1是半导体装置的斜视图。

图2是激光芯片的剖面图。

图3A是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图3B是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。

图3C是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。

图4A是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。