[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

基板；

第一导电型的漂移区域，其配置在所述基板的主面，具有接触部及从所述接触部的一部分沿着所述基板的主面延伸的延伸部；

第二导电型的列区域，其沿着与所述漂移区域的所述延伸部的延伸方向垂直的方向与所述延伸部交替配置，一端部与所述漂移区域的所述接触部连接；

第二导电型的阱区域，其分别与所述列区域的另一端部和所述漂移区域的所述延伸部的前端连接；

第一主电极，其与所述阱区域电连接；

第二主电极，其与所述漂移区域的所述接触部电连接；

绝缘膜，其配置在所述漂移区域、所述列区域及所述阱区域的上方；

电场缓和电极，其经由所述绝缘膜配置在除了形成于所述漂移区域的所述延伸部和所述列区域之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和电极配置在所述剩余的pn结部中的所述漂移区域的所述延伸部和所述阱区域连接的pn结部、以及所述漂移区域的所述接触部和所述列区域连接的pn结部中的至少一个的上方。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在剩余的pn结部的所有上方都配置有所述电场缓和电极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和电极具备配置在所述剩余的pn结部中接近所述第一主电极的pn结部的至少一部分的上方并与所述第一主电极电连接的部分。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和电极具备配置在所述剩余的pn结部中接近所述第二主电极的pn结部的至少一部分的上方并与所述第二主电极电连接的部分。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述电场缓和电极的与所述延伸方向垂直的方向的宽度，在所述剩余的pn结部的上方的区域比其他区域更宽。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述基板是绝缘性基板。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

以从所述电场缓和电极的下方的所述剩余的pn结部到所述电场缓和电极的与所述基板相对的下表面的各部分的距离大致一定的方式，使所述电场缓和电极的所述下表面与所述基板之间的距离逐渐变窄。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域还具有层叠部分，其一端部与所述接触部连接，另一端部与所述阱区域连接，在所述基板的厚度方向上与所述列区域层叠配置。

10.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域的所述延伸部和所述列区域具有沿着所述基板的厚度方向层叠的结构。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一主电极和所述第二主电极之间流动的主电流被切断的断开状态下，以通过从所述电压保持pn结部延伸的耗尽层使所述漂移区域的所述延伸部和所述列区域耗尽的方式，设定所述延伸部和所述列区域的杂质浓度。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述漂移区域的所述延伸部的所述前端和所述第一主电极在界面具有能垒而电连接，

所述第二主电极与所述漂移区域的所述接触部欧姆连接，

作为使所述第一主电极为阳极电极，使所述第二主电极为阴极电极的肖特基二极管进行动作。