[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了实现高耐压且低导通电阻，开发有交替配置n型半导体区域和p型半导体区域而周期性地形成pn结的超连接(SJ)结构的半导体装置(参照专利文献1)。在SJ结构的半导体装置中，主电流流过n型杂质浓度较高的漂移区域，从而能够降低导通电阻。另一方面，在反向偏压时，由于从pn结延伸的耗尽层使得漂移区域被耗尽，从而确保了高耐压。。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-26417号公报

在交替配置了n型漂移区域和p型列区域的SJ结构的半导体装置中，在与半导体装置的主电流流动的方向不同的方向上，耗尽层延伸的漂移区域和列区域之间的界面的电场均匀。但是，存在电场集中在该界面以外的pn结从而导致耐压降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种具有超连接结构且能够抑制耐压降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。

本发明的一个方面的半导体装置的要点在于，具备经由绝缘膜配置在除了形成于构成SJ结构的漂移区域的延伸部和列区域(column region)的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方的电场缓和电极。

本发明的另一方面的半导体装置的制造方法的要点在于包含在形成于构成SJ结构的漂移区域的延伸部和列区域之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方，经由绝缘膜形成电场缓和电极的工序。

根据本发明，能够提供具有超连接结构并且能够抑制耐压降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明第一实施方式的半导体装置的结构的示意立体图。

图2是表示本发明第一实施方式的半导体装置的结构的示意平面图。

图3是表示本发明第一实施方式的半导体装置在施加反向电压时的状态的示意平面图。

图4是表示用于计算电场强度的实施模型的立体图。

图5是表示用于计算电场强度的比较模型的立体图。

图6是用于说明计算电场强度的截面的平面图。

图7是表示沿着第一截面的电场强度的计算结果的曲线图。

图8是表示沿着第二截面的电场强度的计算结果的曲线图。

图9是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(其一)。

图10是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(其二)。

图11是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(其三)。

图12是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(其四)。

图13是用于说明本发明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图(其五)。