[发明专利]有机EL器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL器件，其特征在于，所述有机EL器件包括：

基板；

驱动电路层，所述驱动电路层包括：形成在所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT的任一个连接的多条栅极总线和多条源极总线、多个端子以及将所述多个端子和所述多条栅极总线或所述多条源极总线的任一个连接的多条引出配线；

第一无机保护层，其形成在所述驱动电路层上，至少露出所述多个端子；

有机平坦化层，其是形成在所述第一无机保护层上的有机平坦化层，所述有机平坦化层具有算术平均粗糙度Ra为50nm以下的表面；

有机EL元件层，其形成在所述有机平坦化层上，且具有分别与所述多个TFT的任一个连接的多个有机EL元件；

薄膜密封结构，其以覆盖所述有机EL元件层的方式形成，且具有第一无机阻挡层、与所述第一无机阻挡层的上表面接触的有机阻挡层以及与所述有机阻挡层的上表面接触的第二无机阻挡层，所述有机阻挡层形成在由所述第一无机阻挡层与所述第二无机阻挡层直接接触的无机阻挡层接合部包围的区域内，

在从所述基板的法线方向观察时，在形成有所述第一无机保护层的区域内形成有所述有机平坦化层，在形成有所述有机平坦化层的区域内配置有所述多个有机EL元件，所述薄膜密封结构的外缘与所述多条引出配线交叉，且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述第一无机保护层的外缘之间，

在所述多条引出配线上，所述第一无机保护层和所述第一无机阻挡层直接接触的部分，所述第一无机阻挡层的与所述多条引出配线的线宽方向平行的截面的形状的侧面的锥角小于90°。

2.根据权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于，

所述有机EL器件还具有形成在所述有机平坦化层上的第二无机保护层，

所述有机EL元件层形成在所述第二无机保护层上。

3.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其特征在于，

所述第一无机阻挡层的所述侧面的所述锥角小于70°。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，

所述有机平坦化层由具有感光性的树脂形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，

所述有机平坦化层由聚酰亚胺形成。

6.一种有机EL器件的制造方法，其是权利要求1至5中任一项所述的有机EL器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

工序A，在所述基板上形成所述驱动电路层；

工序B，在所述驱动电路层上形成第一无机保护膜；

工序C，在所述第一无机保护膜上形成有机平坦化膜；

工序D，对所述有机平坦化膜的表面实施化学机械研磨；

工序E，通过对所述第一无机保护膜及所述有机平坦化膜进行图案化来得到所述第一无机保护层及所述有机平坦化层；

工序F，将所述有机平坦化层加热至100℃以上的温度；以及

工序G，在所述工序F之后，在所述有机平坦化层上形成所述有机EL元件所包含的有机层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序D之后且所述工序E之前还包括：

在所述有机平坦化膜上形成第二无机保护膜的工序；以及

统一形成贯通所述第一无机保护膜、所述有机平坦化膜及所述第二无机保护膜的接触孔的工序。

8.根据权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序E之后且所述工序F之前还包括：

工序El，形成覆盖所述有机平坦化层的正型的光致抗蚀剂膜；以及

工序E2，通过对所述光致抗蚀剂膜进行整面曝光后进行显影，来除去所述光致抗蚀剂膜。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

在所述工序E1和所述工序E2之间还包括保管或搬运形成有所述光致抗蚀剂膜的所述基板的工序。