[发明专利]能量计测装置和准分子激光装置

说明书

本公开的一个观点的能量计测装置使主光的一部分在第1分束器、第2分束器、第3分束器和第4分束器依次反射而输入到能量传感器。配置第1分束器、第2分束器、第3分束器和第4分束器，以成为抑制由于主光的入射角变化和偏振纯度变化而引起的能量传感器的检测值的变化的入射角、光路的折曲方向。

技术领域

本公开涉及能量计测装置和准分子激光装置。

背景技术

随着半导体集成电路的微细化和高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，通过改变该间隙的折射率，使曝光用光源的外观的波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射等价的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的谱线宽度较宽，大约为350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色像差，分辨率降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色像差的程度。谱线宽度也被称为谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化部(Line Narrow Module)，通过该窄带化部实现谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件也可以是标准具或光栅等。将这种谱宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。

此外，关于准分子激光，脉冲宽度大约为数10ns，波长较短为248.4nm或193.4nm，因此，有时用于高分子材料或玻璃材料等的直接加工。关于高分子材料，能够通过准分子激光切断高分子材料的结合，该准分子激光具有比结合能高的光子能量。因此，公知能够进行非加热加工，加工形状美观。

此外，玻璃或陶瓷等针对准分子激光的吸收率较高，因此，公知还能够进行利用可视激光和红外线激光难以加工的材料的加工。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/017562号

专利文献2：日本特开平4-111370号公报

专利文献3：国际公开第2016/084755号

发明内容

本公开的一个观点的能量计测装置计测从激光振荡器输出的激光的能量，其中，能量计测装置具有：第1分束器，其以第1入射角被配置于从激光振荡器输出的激光的第1光路上，反射通过第1光路的激光的一部分而生成第2光路；第2分束器，其以第2入射角被配置于第2光路上，反射通过第2光路的激光的一部分而生成第3光路；第3分束器，其以第3入射角被配置于第3光路上，反射通过第3光路的激光的一部分而生成第4光路；第4分束器，其以第4入射角被配置于第4光路上，反射通过第4光路的激光的一部分而生成第5光路；以及能量传感器，其被配置于第5光路上或经由第5光路的光路上，第1入射角和第2入射角相等，第3入射角和第4入射角相等，第1分束器的第1入射面和第2分束器的第2入射面位于第1平面上，第3分束器的第3入射面和第4分束器的第4入射面位于与第1平面垂直的第2平面上，第1分束器使第1光路在第1平面中向第1方向折曲而生成第2光路，第2分束器使第2光路在第1平面中向第1方向折曲而生成第3光路，第3分束器使第3光路在第2平面中向第2方向折曲而生成第4光路，第4分束器使第4光路在第2平面中向第2方向折曲而生成第5光路。