[发明专利]转移装置和使用方法

说明书

本发明提供转移装置和使用方法。在保持高转移位置精度的同时实现转移装置的受体基板的大型化、精细化和缩短节拍时间。在以保持放置有转移对象物的供体基板和/或光束整形光学系统以及缩小投影光学系统的状态移动的各台组、以及保持作为转移目的物的受体基板的台组构建在分开的平台上而构成的机构中，使伴随各基板相对于激光的相对扫描而产生的振动和承担该扫描的台的同步位置精度的异常最小化。

技术领域

本发明涉及一种装置，该装置使用激光照射而将位于供体基板上的对象物高精度地转移到受体基板上(LIFT：Laser Induced Forward Transfer激光诱导向前转移)。

背景技术

以往有一种技术，其向供体基板上的有机EL(电致发光)层照射激光并将其转移到对置的电路基板上。作为该技术，在专利文献1中公开了一种技术：将一个激光转换为具有矩形形状的强度分布均匀的多个矩形激光，将它们串列且等间隔配置，以隔开一定时间以上且重叠规定次数的方式向供体基板的规定的区域照射多个矩形激光，使该激光被位于供体基板和有机EL层间的金属箔吸收而产生弾性波，将由此剥离的有机EL层转移到对置的电路基板上。

在该技术中使用如下的结构：在供体基板和电路基板之间夹持将80～100[μm]作为适当值的间隔件，把将供体基板和电路基板的间隔保持为固定的状态并一体化的构件放置在一个台上并使其相对于激光进行扫描。但是，在该情况下，除了另外需要使对置的供体基板和电路基板一体化的工序以外，还需要与电路基板尺寸相同的供体基板，并且伴随电路基板的大型化的需要，需要增加制造成本和装置的大型化。

同样，作为将供体基板上的有机EL层向对置的电路基板转移的技术，在专利文献2中公开了如下的技术：将光吸收层设置在供体基板和有机EL层之间，使该光吸收层吸收照射的激光而产生冲击波，将供体基板上的有机EL层向设置有10～100[μm]的间隔并对置的电路基板转移。但是，专利文献2未公开激光的扫描方法和实现其的台结构，而且也未公开转移装置。因此，专利文献2不能作为用于维持并提高能够与电路基板的大型化对应的转移位置精度的技术来进行参照。

此外，在专利文献3中公开了一种在用于半导体器件制造的曝光装置中与步进扫描法相关的技术。其基本考虑方式如下：边跳过中途的几个照射区域边间歇地对沿着晶片台的扫描曝光方向的一列照射区域进行曝光，并且在其中途不使晶片台停止。即，专利文献3公开了一种曝光装置，其包括：中间掩膜台，保持中间掩膜；晶片台，保持晶片；以及投影光学系统，将中间掩膜的图案向晶片投影，边使中间掩膜台和晶片台一起相对于投影光学系统扫描边进行曝光，将中间掩膜的图案依次投影到晶片的多个照射区域，其中，边不使所述晶片台静止地使其扫描移动边对沿扫描方向排列的晶片上的多个照射区域间歇地进行曝光。由此，在晶片的大型化且处理速度的高速化的要求下，与反复进行晶片台的加减速的步进重复(step and repeat)方式相比，能够减轻伴随台的扫描产生的振动和摇晃对曝光精度的影响。

但是，上述专利文献3中公开的技术是将缩小投影曝光作为基础的半导体曝光装置的技术，其技术领域与本发明的转移技术不同。即，曝光装置的中间掩膜台和晶片台的结构和扫描技术与本发明的台结构和扫描技术完全不同，本发明的台结构和扫描技术用于将本发明的掩膜图案以高位置精度的方式缩小投影到供体基板上的对象物，进而以相同的高位置精度将该对象物转移到受体基板上。因此，作为本发明的具体的台结构及其扫描技术不能参照上述专利文献3中公开的技术。

现有技术文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2014-67671号

专利文献2：日本专利公开公报特开2010-40380号

专利文献3：日本专利公开公报特开2000-21702号

发明内容