[发明专利]形成具有亚微米级特征的大面积模具母版的晶圆拼接方法

权利要求书

1.一种形成大面积纳米压印模具母版的方法，所述方法包括：

将多个子母版拼接片定位在刚性平面基板上，所述多个子母版拼接片中的每个子母版拼接片具有纳米级图案，并且代表所述大面积纳米压印模具母版的子部分；以及

将所述多个子母版拼接片粘附到所述刚性平面基板上，

其中，所述定位确定一对相邻的子母版拼接片中的每个子母版拼接片上的所述纳米级图案的纳米级特征之间的距离，所述距离具有微米级的定位公差。

2.根据权利要求1所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，所述定位包括：使用对准销和对准标记中的一个将所述子母版拼接片引导到所述刚性平面基板上的位置，所述微米级定位公差小于一百微米(100μm)。

3.根据权利要求1所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，所述刚性平面基板包括多个表面凹槽，所述多个表面凹槽被配置成接收所述子母版拼接片，所述定位包括通过将所述子母版拼接片放置到在所述多个凹槽中的一个凹槽中，将所述子母版拼接片引导到所述刚性平面基板上的位置。

4.根据权利要求3所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，所述凹槽被配置为将单个子母版拼接片保持在位置中，由所述定位提供的微米级定位公差小于一百微米(100μm)。

5.根据权利要求1所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，所述定位包括在所述刚性平面基板上将相邻的子母版拼接片互相邻接，以及控制每个子母版拼接片的尺寸以提供所述微米级定位公差。

6.根据权利要求5所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，控制所述子母版拼接片的所述尺寸，以提供小于十微米(10μm)的所述微米级定位公差。

7.根据权利要求1所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，控制每个子母版拼接片的尺寸以在定位之后在相邻的子母版拼接片之间产生亚微米间隙，所述方法还包括重新调整所述多个子母版拼接片中所述子母版拼接片的位置，以提供小于一微米(1μm)的所述微米级定位公差。

8.根据权利要求7所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，其中，所述刚性平面基板还包括凹槽、对准销和对准标记中的一个或多个，所述凹槽、对准销和对准标记用于促进所述子母版拼接片的位置的重新调整。

9.根据权利要求7所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，所述方法还包括填充所述亚微米间隙以提供所述大面积纳米压印模具母版的平滑拼接表面。

10.根据权利要求1所述的形成大面积纳米压印模具母版的方法，还包括：在所述大面积纳米压印模具母版上沉积一层金属层，以形成所述大面积纳米压印模具母版的金属片复印模，所述金属片复印模用于在接收表面中压印大面积纳米压印图案。

11.一种大面积纳米压印模具母版，包括：

刚性平面基板；和

多个子母版拼接片，其被定位并粘附到所述刚性平面基板的表面，所述多个子母版拼接片中的子母版拼接片具有纳米级图案，并且被定位以在一对相邻的子母版拼接片中的每个子母版拼接片上的所述纳米级图案的纳米级特征之间提供微米级定位公差，

其中，所述多个子母版拼接片中的所述子母版拼接片代表所述大面积纳米压印模具母版的子部分。

12.根据权利要求11所述的大面积纳米压印模具母版，其中，在所述刚性平面基板中包括对准销和对准标记中的一个或两者，所述对准销和对准标记被配置以作为所述刚性平面基板上的所述子母版拼接片的位置参考。

13.根据权利要求11所述的大面积纳米压印模具母版，其中，所述刚性平面基板包括在所述刚性平面基板表面中的表面凹槽，所述表面凹槽被配置为接收并定位所述多个子母版拼接片中的子母版拼接片。