[发明专利]光刻系统的维护管理方法、维护管理装置和计算机可读介质

说明书

本公开的一个观点的光刻系统的维护管理方法包含：按照每个构成光刻系统的1组单位的装置组即光刻单元整理工作信息并进行保存；整理每个光刻单元的与消耗品有关的维护信息并进行保存；根据每个光刻单元的工作信息和与消耗品有关的维护信息计算每个光刻单元的消耗品的标准维护时期；根据标准维护时期、停工时间的信息、每个光刻单元的或每个生产线的停工时间导致的损失成本信息，生成每个光刻单元的或每个生产线的维护调度计划；以及输出维护调度计划的生成结果。

技术领域

本公开涉及光刻系统的维护管理方法、维护管理装置和计算机可读介质。

背景技术

随着半导体集成电路的微细化和高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，通过改变该间隙的折射率，使曝光用光源的外观的波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射等效的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的谱线宽度较宽，大约为350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色像差，分辨率降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色像差的程度。谱线宽度也被称为谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化部(Line Narrow Module)，通过该窄带化部实现谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件也可以是标准具或光栅等。将这种谱宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2007/0252966号说明书

专利文献2：日本特开2013-179109号公报

专利文献3：日本特开2009-217718号公报

专利文献4：日本特开2011-197894号公报

专利文献5：美国专利第6697695号说明书

专利文献6：美国专利申请公开第2016/0254634号说明书

专利文献7：美国专利申请公开第2003/0013213号说明书

发明内容

本公开的一个观点的光刻系统的维护管理方法包含如下步骤：按照每个光刻单元整理工作信息，保存每个光刻单元的工作信息，该光刻单元是构成进行抗蚀剂的涂布、曝光和显影的光刻系统的1组单位的装置组；按照每个光刻单元整理与装置组的各装置中的作为维护对象的消耗品有关的维护信息，保存每个光刻单元的与消耗品有关的维护信息；根据每个光刻单元的工作信息和每个光刻单元的与消耗品有关的维护信息，计算每个光刻单元的消耗品的标准维护时期；根据每个光刻单元的消耗品的标准维护时期、对每个光刻单元的消耗品进行更换而导致的停工时间的信息、每个光刻单元的或包含2个以上的光刻单元在内的每个生产线的停工时间导致的损失成本信息，生成每个光刻单元的或每个生产线的维护调度计划；以及输出维护调度计划的生成结果。