[发明专利]集成电路及其互连结构

权利要求书

1.一种集成电路互连结构，其特征在于，包括：

内连线结构，包括三层或三层以上的层叠设置的布线层以及设于相邻两层布线层之间的介质层；每层所述布线层包括多条间隔设置的金属走线，以及设于间隔设置的所述金属走线之间的绝缘介质，所述金属走线用于通过通孔与基板的多个微电子结构电连接，以将所述多个微电子结构相互之间电连接；和

第一增强结构，包括多条辅助走线及多个辅助通孔；多条所述辅助走线分布于相邻的三个或三个以上的所述布线层，所述辅助走线设于所述布线层中相邻的所述金属走线的间隙之间，每个所述布线层内的所述辅助走线与所述金属走线之间相互绝缘；多个所述辅助通孔分布于两层或两层以上的相邻的所述介质层内；每个所述介质层内的所述辅助通孔连接位于所述介质层两侧的所述布线层内的所述辅助走线；位于相邻的所述介质层的所述辅助通孔在垂直于所述布线层的方向上对齐或者部分对齐，相邻两层所述布线层内的所述辅助走线的延伸方向相互交叉，所述辅助通孔位于相邻两层所述布线层内的辅助走线交叠的位置。

2.如权利要求1所述的集成电路互连结构，其特征在于，相邻两层所述布线层内的所述辅助走线的延伸方向相垂直。

3.如权利要求1或2所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述集成电路互联结构还包括第二增强结构，所述第二增强结构包括分设于相邻的两个所述布线层的辅助走线，以及位于相邻的两个布线层之间的介质层的辅助通孔，所述辅助通孔连接两个相邻的所述布线层内的辅助走线，所述第二增强结构的辅助走线与所述布线层内的金属走线以及所述第一增强结构的 辅助走线绝缘。

4.如权利要求3的所述集成电路互连结构，其特征在于，所述集成电路还包括第三增强结构，所述第三增强结构包括独立的辅助走线，所述第三增强结构位于所述布线层内，并与所述布线层内的金属走线、所述第一增强结构的辅助走线和所述第二增强结构的辅助走线绝缘。

5.如权利要求1所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述辅助通孔内填充有填充材料。

6.如权利要求5所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述辅助通孔内的填充材料与其连接的所述辅助走线的材料相同。

7.如权利要求5所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述辅助通孔的内壁覆盖有扩散阻挡层。

8.如权利要求1所述的集成电路互连结构，其特征在于，位于同一所述布线层的所述金属走线与所述辅助走线的材料不同。

9.如权利要求1所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述金属走线、辅助走线的表面设有扩散阻挡层。

10.如权利要求1所述的集成电路互连结构，其特征在于，所述介质层包括低介电常数材料或超低介电常数材料或极低介电常数材料。

11.一种集成电路，其特征在于，包括基板及形成于所述基板上的如权利要求1-10任一项的所述集成电路互连结构。

12.如权利要求11的所述集成电路，其特征在于，所述基板具有多个微电子结构，所述集成电路互连结构与所述微电子结构电连接。