[发明专利]制造辐射探测器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

将多个芯片连接到衬底，其中每个所述芯片仅包括一个经配置用于检测辐射的像素。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括在连接到所述衬底之前测试所述多个芯片。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括用电绝缘材料填充所述芯片之间的间隙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述芯片包含有辐射吸收层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述辐射吸收层包含有碲锌镉(CZT)。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述电绝缘材料包括氧化物、氮化物、玻璃、聚合物、环氧树脂或它们的组合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中每个所述芯片包含有第一电触点和第二电触点。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底包括离散电极；其中每个所述芯片的所述第二电触点连接到所述离散电极中的至少一个离散电极。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括将所述芯片连接到承载基底的导电表面上；其中每个所述芯片的第一电触点与所述导电表面连接。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片排列在阵列中。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在连接到所述衬底之后识别所述多个芯片中的有缺陷的芯片，以及从所述衬底上移除所述有缺陷的芯片。

12.一种方法，包括：

将晶片连接到衬底上，其中所述衬底包括离散电极，其中所述晶片包括辐射吸收层和多个电触点，其中每一个所述电触点都连接到所述离散电极中的至少一个离散电极；

识别晶片的缺陷区域；

用至少一个被配置为吸收辐射的芯片替换所述晶片的一部分，其中所述部分包含有所述缺陷区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述辐射吸收层包含有半导体材料碲锌镉(CZT)。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括在连接到所述衬底之前测试所述晶片的一部分。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括在连接到所述衬底之后测试所述晶片的一部分。

16.根据权利要求12所述的方法，其中替换所述部分包括激光划线和加热所述部分。

17.根据权利要求12所述的方法，其中替换所述部分包括蚀刻所述部分。