[发明专利]存储器系统及控制方法在审
申请号: | 201880095358.3 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN112400163A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 板垣清太郎 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/00 | 分类号: | G06F12/00;G11C5/04;G11C5/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 系统 控制 方法 | ||
1.一种存储器系统,具备:
多个存储器封装,包含多个存储器芯片,且将成对对向配置的组配置多个并利用共通总线连接;
ODT(On Die Termination)电路,配置在所有的所述存储器封装,抑制信号的反射;及
控制器,经由所述共通总线,对指定的存储器封装的存储器芯片写入或读出数据,且进行所述存储器封装的所述ODT电路的导通断开控制;且
所述控制器保持用以将根据由至少2个循环的周期信号定义的2bit的信息信号而设定的所述ODT电路导通的ODT启动条件,且在使用所述周期信号取得的芯片使能信号CEn的确立状态包含在所述ODT启动条件的类型中时,导通所述ODT电路。
2.一种存储器系统,具备:
多个存储器封装,包含多个存储器芯片,且将成对对向配置的组配置多个并利用共通总线连接;
ODT(On Die Termination)电路,配置在所有的所述存储器芯片,抑制信号的反射;及
控制器,经由所述共通总线,对指定的存储器封装的存储器芯片写入或读取数据,且进行所述存储器芯片的所述ODT电路的导通断开控制;且
所述控制器保持用以将根据由至少2个循环的周期信号定义的2bit的信息信号而设定的所述ODT电路导通的ODT启动条件,且在使用所述周期信号取得的芯片使能信号CEn的确立状态包含在所述ODT启动条件的类型中时,导通所述ODT电路。
3.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中
所述控制器所存储的所述2bit的信息信号是构成规定第1ODT启动条件及第2ODT启动条件的真值,
所述第1ODT启动条件是由所述控制器在用以驱动要进行数据写入或读出的所选择的所述存储器封装的存储器芯片的芯片使能信号CEn开始确立后,根据所述周期信号,连续检测2次所述确立的状态,在连续检测出确立的情况下,导通所述ODT电路而将目标ODT设定为导通;及
所述第2ODT启动条件是所述控制器对于未选择的所述存储器封装,在用以驱动存储器芯片的芯片使能信号CEn开始确立后,根据所述周期信号,第1次取得所述确立的状态且第2次取得否定的状态时,导通所述ODT电路而将非目标ODT设定为导通。
4.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中所述周期信号具有至少2个循环的周期,且赋予至ODT使能信号ODTEN的开头侧。
5.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中所述周期信号具有至少2个循环的周期,且赋予至写入使能信号WEn的开头侧。
6.根据权利要求3所述的存储器系统,其中在对所有的所述存储器芯片设定目标ODT的标记,且对各个所述存储器封装内的1个存储器芯片设定有非目标ODT的标记时,取得芯片使能信号ODTEN的所述确立的状态,基于所述确立的状态,根据所述第1ODT启动条件及所述第2ODT启动条件,对所述ODT电路进行导通断开控制。
7.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中成对的存储器封装在电路衬底的正背两面的安装面以夹着所述电路衬底而对向的方式安装。
8.根据权利要求1或2所述的存储器系统,其中所述周期信号的第1次上升到第2次上升的1循环宽度具有写入使能信号WE的切换时序的4倍的时间宽度。
9.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述存储器封装所含的存储单元是积层配置的NAND型快闪存储器。
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