[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880096310.4 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112534571A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 大宅大介;林田幸昌;本宫哲男 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
第1电极；
第2电极；
树脂壳体，其包围所述第1电极和所述第2电极；以及
树脂绝缘部，其在所述树脂壳体的内侧覆盖所述第1电极的一部分和所述第2电极的一部分，该树脂绝缘部的材料与所述树脂壳体相同，
在所述树脂绝缘部形成有位于所述第1电极和所述第2电极之间的槽。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述树脂绝缘部与所述树脂壳体的内壁接触。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽设置于所述第1电极和所述第2电极最接近的部分。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽的深度大于或等于从所述槽的存在开口端的位置算起的所述第1电极或所述第2电极的埋入深度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1电极为集电极电极，所述第2电极为发射极电极。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽形成有多个。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
具有在所述槽设置的有机材料的绝缘体。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
具有在所述槽设置的无机材料的固体的绝缘体。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
对所述槽提供了绝缘性比空气高的绝缘气体。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
具有在所述树脂壳体中设置的半导体芯片。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
所述宽带隙半导体为碳化硅、氮化镓类材料或金刚石。
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