[发明专利]材料沉积设备、真空沉积系统及用以处理大面积基板的方法在审
申请号: | 201880096334.X | 申请日: | 2018-08-07 |
公开(公告)号: | CN112534564A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·班格特;于尔根·亨里奇;安德里亚斯·索尔;马蒂亚斯·赫曼尼斯;塞巴斯蒂安·巩特尔·臧 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L51/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 材料 沉积 设备 真空 系统 用以 处理 大面积 方法 | ||
1.一种用以在真空腔室中沉积材料于基板上的材料沉积设备,包括:
掩模传送轨道,所述掩模传送轨道的至少一部份设置于所述真空腔室中,所述掩模传送轨道经装配以支撑掩模载体来支承掩模组件,所述掩模组件具有掩模框架及掩模;
掩模平台,经装配以支撑掩模组件;以及
支承装置,耦接于所述掩模平台,及经装配以用于基本上垂直定向的所述掩模组件的移交或传送。
2.根据权利要求1所述的材料沉积设备,其中所述掩模平台在所述真空腔室中为静止的。
3.根据权利要求1至2的任一者所述的材料沉积设备,其中所述掩模平台具有开孔,所述开孔经装配以避免阻挡沉积材料至所述掩模。
4.根据权利要求1至3的任一者所述的材料沉积设备,其中所述掩模平台还包括温度控制元件。
5.根据权利要求4所述的材料沉积设备,其中所述温度控制元件为多个冷却通道,以冷却所述掩模平台。
6.根据权利要求1至5的任一者所述的材料沉积设备,所述支承装置包括至少二个线形部。
7.根据权利要求6所述的材料沉积设备,其中所述线形部沿着所述掩模平台中的所述开孔的周边延伸。
8.根据权利要求1至7的任一者所述的材料沉积设备,其中所述支承装置包括电磁铁及电永久磁铁的群组的至少一者。
9.根据权利要求1至8的任一者所述的材料沉积设备,所述掩模平台还包括突出部,所述突出部位于所述掩模平台的开孔的下方,及经装配以停止所述掩模组件沿着重力方向移动到所述突出部以外。
10.根据权利要求1至9的任一者所述的材料沉积设备,所述掩模传送轨道包括:
掩模支撑装置,用于所述掩模载体的非接触支撑;以及
掩模驱动装置,用于所述掩模载体的非接触驱动。
11.根据权利要求1至10的任一者所述的材料沉积设备,还包括:
基板传送轨道,包括:
基板支撑装置,用于基板载体的非接触支撑;以及
基板驱动装置,用于所述基板载体的非接触驱动,其中所述掩模传送轨道设置于所述基板传送轨道及所述掩模平台之间。
12.根据权利要求1至11的任一者所述的材料沉积设备,还包括:
其他掩模传送轨道;
其他掩模平台;以及
材料沉积配置,位于所述掩模平台及所述其他掩模平台之间。
13.一种真空处理系统,包括:
根据权利要求1至12的任一者所述的材料沉积设备;以及
其他真空腔室,通过第一阀耦接于所述材料沉积设备的所述真空腔室,所述第一阀设置于所述真空腔室的第一侧。
14.根据权利要求13所述的真空处理系统,还包括:第二阀,位于相对于所述第一侧的第二侧,其中所述掩模传送轨道延伸至所述其他真空腔室中,其中所述基板传送轨道延伸至所述其他真空腔室中,及其中掩模遮蔽物传送轨道延伸而用于通过所述第二阀的移动。
15.一种用以处理垂直定向的大面积基板的方法,包括:
在材料沉积组件的真空腔室中以垂直定向传送掩模载体上的掩模组件,所述掩模组件包括掩模框架及掩模;以及
将所述垂直定向中的所述掩模组件从所述掩模载体移交或传送至所述掩模平台。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述掩模平台在所述真空腔室中为静止的。
17.根据权利要求15至16的任一者所述的方法,所述移交或传送包括:
同步耦接于所述掩模载体的第一支承装置的第一电流与耦接于所述掩模平台的第二支承装置的第二电流,所述第一支承装置包括至少第一电磁铁或至少第一电永久磁铁,所述第二支承装置包括至少第二电磁铁或至少第二电永久磁铁。
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