[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

基板支撑部，其对基板进行支撑；

反应管，其收纳上述基板支撑部并对上述基板进行处理；

处理气体供给系统，其向上述反应管内供给处理气体；

惰性气体供给系统，其向上述反应管内供给惰性气体；以及

排气系统，其对上述反应管内的环境气体进行排放，

上述惰性气体供给系统具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体；以及第二喷出口，其朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一喷出口和上述第二喷出口设置于对置的位置。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一喷出口和上述第二喷出口相对于上述喷嘴的高度方向设置于高度不同的位置。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述喷嘴设置有喷出方向不同的多个上述第二喷出口。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

相对于上述喷嘴的高度方向以第一预定间隔设置有多个上述第一喷出口，

相对于上述喷嘴的高度方向以比上述第一预定间隔宽的第二预定间隔设置有多个上述第二喷出口。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

将基板搬入反应管内的工序；

向上述反应管内供给处理气体的工序；

从具有第一喷出口和第二喷出口的喷嘴的上述第一喷出口对上述基板供给上述惰性气体，并从上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给上述惰性气体的工序，其中，该第一喷出口朝向上述基板的中央喷出惰性气体，该第二喷出口朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体；以及

将上述基板从上述反应管搬出的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

供给上述处理气体的工序具有：向上述反应管内供给原料气体的工序；以及向上述反应管内供给反应气体的工序，

在供给上述原料气体的工序和供给上述反应气体的工序之间、以及供给上述反应气体的工序之后执行供给上述惰性气体的工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在供给上述惰性气体的工序中，使从上述第一喷出口供给的上述惰性气体的流量比从上述第二喷出口供给的上述惰性气体的流量多。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在供给上述惰性气体的工序中，从喷出方向不同的多个上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给从上述第二喷出口供给的上述惰性气体。

10.一种程序，其特征在于，利用计算机使上述基板处理装置执行以下步骤，即：

将基板搬入基板处理装置的反应管内的步骤；

向上述反应管内供给处理气体的步骤；

从具有第一喷出口和第二喷出口的喷嘴的上述第一喷出口对上述基板供给上述惰性气体，并从上述第二喷出口对上述反应管的内壁供给上述惰性气体的步骤，其中，该第一喷出口朝向上述基板的中央喷出惰性气体，该第二喷出口朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体；以及

将上述基板从上述反应管搬出的步骤。

11.根据权利要求10所述的程序，其特征在于，

供给上述处理气体的步骤具有：向上述反应管内供给原料气体的步骤；以及向上述反应管内供给反应气体的步骤，

在供给上述原料气体的步骤和供给上述反应气体的步骤之间、以及供给上述反应气体的步骤之后执行供给上述惰性气体的步骤。