[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

说明书

本发明提供一种技术，具有：基板支撑部，其对基板进行支撑；反应管，其收纳基板支撑部并对基板进行处理；处理气体供给系统，其向反应管内供给处理气体；惰性气体供给系统，其向反应管内供给惰性气体；以及排气系统，其对反应管内的环境气体进行排放，惰性气体供给系统具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向基板的中央喷出惰性气体；以及第二喷出口，其朝向反应管的内壁喷出惰性气体。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术

作为半导体装置(器件)的制造工序中的一个工序，有时向反应管内收纳的基板供给处理气体来对该基板进行处理(例如成膜处理)。此时，如果在反应管的内壁附着有反应副产物，则会因该反应副产物而产生异物(颗粒)，导致对基板的处理的品质降低(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2016－184685号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种能够抑制在反应管的内壁上产生附着物的技术。

用于解决课题的方案

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：

基板支撑部，其对基板进行支撑；

反应管，其收纳上述基板支撑部并对上述基板进行处理；

处理气体供给系统，其向上述反应管内供给处理气体；

惰性气体供给系统，其向上述反应管内供给惰性气体；以及

排气系统，其对上述反应管内的环境气体进行排放，

上述惰性气体供给系统具有喷嘴，该喷嘴具备：第一喷出口，其朝向上述基板的中央喷出上述惰性气体；以及第二喷出口，其朝向上述反应管的内壁喷出上述惰性气体。

发明的效果

根据本发明，可提供一种能够抑制在反应管的内壁上产生附着物的技术。

附图说明

图1是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，并且是以纵剖面图表示处理炉部分的图。

图2是本发明实施方式中适用的基板处理装置的立式处理炉的概要结构图，并且是以沿着图1中的A-A线的剖面图来表示处理炉部分的图。

图3是本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的概要结构图，并且是以纵剖面表示喷嘴结构部分的图。

图4是本发明实施方式中适用的基板处理装置的缓冲结构的概要结构图，其中，(a)是用于说明缓冲结构的横剖面放大图，(b)是用于说明缓冲结构的示意图。

图5是本发明实施方式中适用的基板处理装置的控制器的概要结构图，并且是以框图表示控制器的控制系统的图。

图6是本发明实施方式的基板处理工序的流程图。

图7是表示本发明实施方式的基板处理工序中的气体供给时序的图。

图8是用于对本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的变形例1进行说明的概要结构图，其中，(a)是喷嘴结构部分的横剖面放大图，(b)是喷嘴的气体供给孔部分的横剖面放大图。

图9是用于对本发明实施方式中适用的基板处理装置的喷嘴结构的变形例2进行说明的概要结构图，并且是以纵剖面表示喷嘴结构部分的图。