[发明专利]光半导体装置、光模块以及光半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种光半导体装置，具备：光半导体芯片，其在半导体基板形成有至少一个光元件；和延伸布线图案，其与所述光元件的第一电极及第二电极连接，并且延伸到所述光半导体芯片的外侧，其特征在于，

所述第一电极及所述第二电极形成于所述光半导体芯片的表面侧，

所述延伸布线图案配置于所述光半导体芯片的表面或者从表面离开的位置。

2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述延伸布线图案仅从所述光半导体芯片的一端侧向外侧延伸。

3.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，

所述光半导体芯片形成有多个所述光元件，

与各个所述光元件的所述第一电极及所述第二电极连接的所述延伸布线图案仅从所述光半导体芯片的一端侧向外侧延伸。

4.根据权利要求2或3所述的光半导体装置，其特征在于，

所述延伸布线图案具备：与所述第一电极连接的第一延伸布线、和与所述第二电极连接的第二延伸布线，

所述第一延伸布线中的延伸至所述光半导体芯片的外侧的部分亦即第一延伸部、与所述第二延伸布线中的延伸至所述光半导体芯片的外侧的部分亦即第二延伸部的间隔，比所述第一延伸部及所述第二延伸部的与延伸方向垂直的方向的宽度的任一方宽。

5.根据权利要求4所述的光半导体装置，其特征在于，

所述延伸布线图案的所述第一延伸部与所述第二延伸部平行地配置。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

所述延伸布线图案具备：与所述第一电极及所述第二电极连接的第一金属层、和形成于所述第一金属层的表面的第二金属层。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

所述光元件为半导体激光器或者受光元件。

8.根据权利要求1～6中的任一项所述的光半导体装置，其特征在于，

所述光半导体芯片具备：多个半导体激光器；多个波导路，其传输从各个所述半导体激光器输出的激光；以及光斑尺寸转换器，其将多个所述波导路耦合并且变更被传输的所述激光的光斑尺寸，

所述第一电极及所述第二电极是所述半导体激光器的电极。

9.一种光模块，其特征在于，

具备：权利要求1～8中的任一项所述的光半导体装置、和与所述延伸布线图案连接的高频基板。

10.一种光半导体装置的制造方法，是制造光半导体装置的光半导体装置的制造方法，所述光半导体装置具备：光半导体芯片，其在半导体基板形成有至少一个光元件；和延伸布线图案，其与所述光元件的第一电极及第二电极连接，并且延伸到所述光半导体芯片的外侧，其特征在于，包括以下工序：

光元件形成工序，形成在所述光半导体芯片的表面配置有所述第一电极及所述第二电极的所述光元件，并且形成钝化层，该钝化层形成有使所述第一电极的一部分以及所述第二电极的一部分露出的开口；和

延伸布线图案形成工序，在所述钝化层的表面或者在从所述钝化层的表面离开的位置形成延伸到所述光半导体芯片的外侧的所述延伸布线图案。

11.根据权利要求10所述的光半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述延伸布线图案形成工序包括：

第一金属层形成工序，形成与所述第一电极及所述第二电极连接的第一金属层；和

第二金属层形成工序，将在所述第一金属层形成工序中形成的所述第一金属层作为供电层并进行电镀，由此在所述第一金属层的表面形成第二金属层。