[发明专利]光半导体装置、光模块以及光半导体装置的制造方法

说明书

光半导体装置(90)具备：光半导体芯片(1)，其在半导体基板(30)形成有至少一个光元件(6)；和延伸布线图案(3)，其与光元件(6)的第一电极(38)及第二电极(39b)连接，并且延伸到光半导体芯片(1)的外侧。光半导体装置(90)的第一电极(38)及第二电极(39b)形成于光半导体芯片(1)的表面侧，并且延伸布线图案(3)配置于光半导体芯片(1)的表面或者从表面离开的位置。

技术领域

本发明涉及光半导体装置以及光模块。

背景技术

光模块是用于光通信等的设备。由于光通信的大容量化、高速化而开发出波分复用方式的光模块。例如，在专利文献1的图7中公开有输出复用了4个波长的光信号而成的光信号的多通道光发射器(光模块)。专利文献1的图7的(a)所公开的多通道光发射器具备：形成有4个波长量的(4个通道量)的直接调制分布式反馈型激光器(DML：Direct ModulatedDistributed Feedback Laser)的光元件的芯片(光半导体装置)、和与驱动4个DML的驱动用驱动器IC(Integrated Circuit)连接的布线板(高频基板)，4个DML的阳极电极和阴极电极与布线板通过8根线材连接。另外，专利文献1的图7的(a)所公开的多通道光发射器通常为了与50Ω的驱动用驱动器IC的输出阻抗取得阻抗匹配，而具备与DML的p型的半导体基板连接的终端电阻。

另外，在专利文献1的图7的(c)中公开了形成有4个DML的光元件的芯片与高频电路板(高频基板)通过金属凸块倒装芯片接合的多通道光发射器。形成于高频电路板的背面的布线与4个DML的阳极电极和阴极电极通过金属凸块连接。

专利文献1：日本特开2016-181542号公报(图7)

专利文献1的图7的(a)所公开的多通道光发射器，由于光半导体装置的4个DML的阳极电极和阴极电极与布线板通过8根线材连接，因此驱动用驱动器IC等与光半导体装置的线路因线材的长度而较长，高频特性劣化。在不改变光半导体装置与布线板的安装结构、且不对每个光模块调整终端电阻的值的情况下，只能极力抑制线环，搭载有光半导体装置的光模块不能充分改善高频特性。另外，在不改变光半导体装置与布线板的安装结构、且对每个光模块调整终端电阻的值的情况下，存在光模块的调整作业变长的问题。

另外，专利文献1的图7的(c)所公开的多通道光发射器，形成有4个DML的光半导体装置与高频电路板(高频基板)通过金属凸块倒装芯片接合，即以倒装芯片安装方式连接。这样的倒装安装方式，通常公知使驱动用驱动器IC等与光半导体装置的线路成为最短，来改善高频特性。然而，通过凸块连接的安装方式存在可靠性上的担忧等、且存在不能简单地应用的现状。另外，虽然还存在使由下结合结构制成的光半导体装置上下反转并通过凸块连接的安装方式，但存在可靠性上的担忧等，存在不能简单地应用的现状。

发明内容

本申请说明书中公开的技术，目的在于得到一种在将光半导体装置与高频基板连接时，能够不使用倒装安装方式，而通过比线材连接短的路径与高频基板连接的光半导体装置。

本申请说明书中公开的一个例子的光半导体装置具备：光半导体芯片，其在半导体基板形成有至少一个光元件；和延伸布线图案，其与光元件的第一电极及第二电极连接，并且延伸到光半导体芯片的外侧。第一电极及第二电极形成于光半导体芯片的表面侧，延伸布线图案配置于光半导体芯片的表面或者从表面离开的位置。

本申请说明书中公开的一个例子的光半导体装置，由于具备与光元件的第一电极及第二电极连接并且延伸到光半导体芯片的外侧的延伸布线图案，因此在将光半导体装置与高频基板连接时，能够不使用倒装安装方式，而通过比线材连接短的路径与高频基板连接。

附图说明

图1是表示实施方式1的光半导体装置以及光模块的图。

图2是表示图1的半导体激光器的图。

图3是图1中的A-A的剖视图。