[发明专利]传感器和显示设备

权利要求书

1.一种传感器，包括：

多条电线，包含有行线和列线；

像素中的光电二极管；

第一晶体管的漏极，连接至所述像素中的所述光电二极管；

第二晶体管的漏极，与所述像素中的所述第一晶体管的源极串联连接；

所述第二晶体管的源极，连接至所述多条电线中的列线；以及

所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，二者连接至所述多条电线中的行线；

其中，所述第一晶体管的沟道材料不同于所述第二晶体管的沟道材料，所述第一晶体管的所述沟道材料是氧化物，所述第二晶体管的所述沟道材料是非氧化物。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，

所述第一晶体管是氧化物薄膜晶体管TFT，并且所述第二晶体管是多晶硅TFT。

3.根据权利要求2所述的传感器，其中，

所述氧化物TFT布置在所述光电二极管的阴极与所述多晶硅TFT之间。

4.根据权利要求2或3所述的传感器，其中，

所述多晶硅TFT包括具有分离栅极的双栅结构。

5.根据权利要求2或3所述的传感器，其中，

所述氧化物TFT包括具有顶部栅极和底部栅极的连结两栅结构，所述顶部栅极和所述底部栅极连接至所述多条电线中的同一电线。

6.根据权利要求2或3所述的传感器，其中，

所述氧化物TFT包括具有顶部栅极和底部栅极的两栅结构，所述顶部栅极连接至所述多条电线中的第一线，并且所述底部栅极连接至所述多条电线中的第二线，所述第二线不同于所述第一线。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的传感器，其中，

所述第一晶体管的所述栅极和所述第二晶体管的所述栅极连接至所述多条电线中的同一电线。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的传感器，其中，

所述第一晶体管是底部栅极晶体管，并且所述第二晶体管是顶部栅极晶体管。

9.根据权利要求1至3中的任一项所述的传感器，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管是顶部栅极晶体管，并且

所述第二晶体管设置在比设置有所述第一晶体管的层更低的层中。

10.根据权利要求9所述的传感器，还包括：

位于所述第一晶体管下方的遮光层，所述遮光层由与所述第二晶体管的栅极材料相同的材料构成。

11.一种传感器，包括：

多条电线，包含有行线、列线和复位线；

像素中的光电二极管；

读出晶体管部，布置在所述光电二极管与所述多条电线中的列线之间，所述读出晶体管部的栅极连接至所述多条电线中的行线；

第一晶体管的漏极，连接至所述光电二极管；

第二晶体管的漏极，与所述像素中的所述第一晶体管的源极串联连接；以及

所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极，二者连接至所述复位线；

其中，所述第一晶体管的沟道材料不同于所述第二晶体管的沟道材料。

12.根据权利要求11所述的传感器，其中，

所述第一晶体管的所述沟道材料是氧化物，并且所述第二晶体管的所述沟道材料是非氧化物。

13.根据权利要求12所述的传感器，其中，

所述第一晶体管是氧化物薄膜晶体管TFT，并且所述第二晶体管是多晶硅TFT。

14.根据权利要求13所述的传感器，其中，

所述氧化物TFT布置在所述光电二极管的阴极与所述多晶硅TFT之间。