[发明专利]传感器和显示设备

说明书

包括氧化物TFT的传感器的泄漏电流特性可以通过如下传感器得到改善，该传感器包括：多条电线，包含有行线和列线；像素中的光电二极管；第一晶体管的漏极，连接至像素中的光电二极管；第二晶体管的漏极，与像素中的第一晶体管的源极串联连接；第二晶体管的源极，连接至多条电线中的列线；以及第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极，二者连接至多条电线中的行线；其中，第一晶体管的沟道材料不同于第二晶体管的沟道材料。

技术领域

本发明涉及传感器和显示设备。

背景技术

例如，在专利文献1和2中示出了包括含有氧化物薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,TFT)的像素阵列的常规传感器。

专利文献1：美国专利公开号2015-0055047

专利文献2：中国实用新型专利公开号203481233

然而，在向氧化物TFT施加应力后，阈值电压负向偏移并且泄漏电流增加，但是常规传感器不能抑制电压偏移和泄漏电流增加。

发明内容

根据本发明的第一方面，一种传感器包括：多条电线，包含有行线和列线；像素中的光电二极管；第一晶体管的漏极，连接至像素中的光电二极管；第二晶体管的漏极，与像素中的第一晶体管的源极串联连接；第二晶体管的源极，连接至多条电线中的列线；以及第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极，二者连接至多条电线中的行线；其中，第一晶体管的沟道材料不同于第二晶体管的沟道材料。以这种方式，传感器可以有效地防止应力之后光电二极管的高泄漏电流。

根据本发明的第二方面，一种传感器包括：多条电线，包含有行线、列线和复位线；像素中的光电二极管；读出晶体管部，布置在光电二极管与多条电线中的列线之间，读出晶体管部的栅极连接至多条电线中的行线；第一晶体管的漏极，连接至光电二极管；第二晶体管的漏极，与像素中的第一晶体管的源极串联连接；以及第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极二者连接至复位线；其中，第一晶体管的沟道材料不同于第二晶体管的沟道材料。以这种方式，传感器可以有效地防止应力之后光电二极管的高泄漏电流。

根据第一方面或第二方面，在第一实施方式中，第一晶体管的沟道材料可以是氧化物，并且第二晶体管的沟道材料可以是非氧化物。以这种方式，由于氧化物TFT结构中的均匀性，传感器可以在像素中具有更大的均匀性。

根据第一方面的第一实施方式或第二方面的第一实施方式，在第二实施方式中，第一晶体管可以是氧化物薄膜晶体管(TFT)，并且第二晶体管可以是多晶硅TFT。以这种方式，由于氧化物TFT结构中的均匀性，传感器可以在像素中具有更大的均匀性，并且传感器可以有效地防止应力之后光电二极管的高泄漏电流。

根据第一方面的第二实施方式或第二方面的第二实施方式，在第三实施方式中，氧化物TFT可以布置在光电二极管的阴极与多晶硅TFT之间。以这种方式，传感器可以有效地防止应力之后光电二极管的高泄漏电流。

根据第一方面的第二实施方式或第三实施方式或第二方面的第二实施方式或第三实施方式，在第四实施方式中，多晶硅TFT可以包括具有分离栅极的双栅结构。以这种方式，双栅TFT比单栅TFT更加有效地减少泄漏电流。

根据第一方面的第二实施方式至第四实施方式中的任何实施方式或第二方面的第二实施方式至第四实施方式中的任何实施方式，在第五实施方式中，氧化物TFT可以包括具有顶部栅极和底部栅极的连结两栅结构，该顶部栅极和底部栅极连接至多条电线中的同一电线。以这种方式，与仅顶部栅极结构相比较，连结两栅结构可以有效地降低栅电压和减少功耗。此外，连结两栅结构可以有效地实现稳定性。