[发明专利]半导体器件的封装方法

说明书

本文公开了一种方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成第一导电层，其中第一导电层与半导体电接触；在第一导电层处，将支撑晶片接合到半导体衬底；使半导体衬底变薄。

【技术领域】

本公开涉及半导体器件的封装方法。

【背景技术】

随着电子应用尺寸的缩小，集成电路(IC)封装器件的占地面积和厚度都减小了。驱动较小封装的开发的是对诸如存储卡、智能卡、蜂窝电话和便携式计算等便携式通信器件的需求。

【发明内容】

本文公开了一种方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成第一导电层，其中所述第一导电层与所述半导体电接触；在所述第一导电层处，将支撑晶片接合到所述半导体衬底；使所述半导体衬底变薄。

根据实施例，所述方法还包括在所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面上形成电触点。

根据实施例，所述方法还包括：获得其中具有电路的芯片；通过在所述第二表面处将所述芯片接合到所述半导体衬底，将所述电路电连接到所述电触点。

根据实施例，所述方法还包括封装所述芯片和所述半导体衬底。

根据实施例，所述方法还包括通过去除所述支撑晶片来暴露所述第一导电层的至少一部分。

根据实施例，所述方法还包括在所述半导体衬底中形成p-n结或p-i-n结。

根据实施例，所述第一表面是抛光的。

根据实施例，所述第一导电层包含金属。

根据实施例，所述金属包括Al、Au或其组合。

根据实施例，所述支撑晶片包含氧化硅层。

根据实施例，所述支撑晶片包含在接合之后与所述第一导电层接触的第二导电层。

根据实施例，所述方法还包括对所述半导体衬底进行激光退火。

根据实施例，所述方法还包括使所述半导体衬底变薄，使所述半导体衬底变薄包括在所述半导体衬底上进行化学机械平坦化，蚀刻所述半导体衬底或两者。

根据实施例，所述方法还包括将所述第一导电层电接地。

根据实施例，所述电路包括被配置为处理或分析从所述半导体衬底产生的电信号的电子系统。

根据实施例，所述电子系统包括接触垫。

根据实施例，所述电子系统包括：第一电压比较器，被配置为将所述接触垫的电压与第一阈值进行比较；第二电压比较器，被配置为将所述电压与第二阈值进行比较；计数器，被配置为记录由所述衬底吸收的辐射粒子的数量；控制器；其中，所述控制器被配置为从所述第一电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；其中，所述控制器被配置为在所述时间延迟期间激活所述第二电压比较器；其中，所述控制器被配置为：如果所述第二电压比较器确定所述电压的绝对值等于或超过所述第二阈值的绝对值，则使所述计数器记录的数量增加1。

根据实施例，所述电子系统还包括电连接到所述接触垫的积分器，其中所述积分器被配置为从所述接触垫收集电荷载流子。

根据实施例，所述控制器被配置为在所述时间延迟开始或期满时激活所述第二电压比较器。

根据实施例，所述电子系统还包括电压表，其中所述控制器被配置为使得所述电压表在所述时间延迟期满时测量所述电压。

根据实施例，所述控制器被配置为基于在所述时间延迟期满时测量的电压值来确定辐射粒子的能量。

根据实施例，所述控制器被配置为将所述接触垫连接到电接地。