[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其具备：

第一电极；

第二电极；

量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及

空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM₂O₄，构成元素M是金属元素。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述构成元素M是从第9族的金属元素中的CO、Rh、Ir选择的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，

所述空穴输送层是所述构成元素M为互相不同的化合物ZnM₂O₄的两种以上的混合物或固溶物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述空穴输送层是第一层叠体，所述第一层叠体是层叠包含所述化合物ZnM₂O₄的多个层，在所述第一层叠体中相邻的层所包含的所述化合物ZnM₂O₄的构成元素M是互相不同。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，

所述层叠体从所述量子点层至所述第一电极，各层的电子亲和力变大。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述空穴输送层的层厚是1nm以上且40nm以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，

还具备中间层，所述中间层设置于所述空穴输送层与所述量子点层之间，且包含化合物L₂O₃，构成元素L是金属元素。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层的电子亲和力小于所述量子点层。

9.根据权利要求7或8所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层的离子电位大于所述量子点层。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述构成元素L是在第13族的金属元素中从Al、Ga、In选择的至少一种。

11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层的结晶结构是菱面体或单斜晶。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层的层厚是0.5nm以上且10nm以下。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层包含混合物或固溶物，所述混合物或固溶物包含所述构成元素L是互相不同的至少两种的所述化合物L₂O₃。

14.根据权利要求7至13中任一项所述的发光元件，其特征在于，

所述中间层是第二层叠体，所述第二层叠体多个层叠包含所述化合物L₂O₃的层，所述第二层叠体在所述第二层叠体中相邻的层所包含的所述化合物L₂O₃的构成元素L是互相不同。