[发明专利]发光元件

说明书

发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM₂O₄，构成元素M是金属元素。

技术领域

本发明是关于包含量子点的发光元件。

背景技术

专利文献1公开了一种发光元件，其包含形成于阳极与量子点层之间的空穴输送层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2012-23388号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在上述的发光元件中，例如在将现有的无机材料使用于空穴输送层的情况下，难以提高空穴输送层中的空穴密度，有输送于量子点层的电子与空穴的平衡变差而降低发光效率的问题。

本发明的一个方面的目的在于提供提高发光效率的发光元件。

解决问题的手段

本发明的一实施方式的发光元件具备：第一电极；第二电极；量子点层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含量子点；以及空穴输送层，设置于所述量子点层与所述第一电极之间，且包含化合物ZnM₂O₄，构成元素M是金属元素。

附图说明

图1是实施方式一所涉及的发光设备的概略截面图。

图2是示出实施例1-1所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图3是示出实施例1-2所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图4是示出实施例1-3所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图5是示出实施例1-1至1-11以及比较例的结果的表。

图6是实施方式二所涉及的发光设备的概略截面图。

图7是示出实施例2-1所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图8是示出实施例2-1至2-3以及3-1所涉及的发光元件中的构成以及结果等的表。

图9是实施方式三所涉及的发光设备的概略截面图。

图10是示出实施例3-1所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图11是实施方式四所涉及的发光设备的概略截面图。

图12示出实施例4-1所涉及的发光设备的发光元件中的各层的费密能级或电子亲和力与离子电位的例子的能量图。

图13是示出实施例4-1至4-21以及比较例所涉及的发光元件中的构成以及结果等的表。

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。此外，在各个附图中，对相同或同等的要素标注相同的附图标记，省略重复说明。

(实施方式一)

图1是示出本实施方式所涉及的发光设备1的概略截面图。

如图1所示，本实施方式所涉及的发光设备1具备发光元件2以及阵列基板3。发光元件1在形成有未图示的TFT(Thin Film Transistor)的阵列基板3上具备层叠有发光元件2的各层的结构。此外，在本说明书中，将从发光设备1的发光元件2向阵列基板3的方向记载为″向下″，将发光元件2的阵列基板3向发光元件2的方向记载为″向上″。

发光元件2在第一电极4上，从下层起依次包括空穴输送层6、量子点层8、电子输送层10以及第二电极12。形成于阵列基板3的上层的发光元件2的第一电极4与阵列基板3的TFT电连接。