[其他]薄膜ESD保护器件有效
申请号: | 201890000191.3 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN209104139U | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 深堀奏子 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;张丰桥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主面 输入输出电极 电感器元件 绝缘层 电容器元件 二极管元件 导体 导通 薄膜 半导体基板 本实用新型 接地电极 贯通 | ||
本实用新型提供薄膜ESD保护器件(101),具备:具有第1主面(PS1)和第2主面(PS2)的半导体基板(21)、形成于第1主面(PS1)的第1绝缘层(TL1)、形成于第2主面(PS2)的第2绝缘层(TL2)、第1输入输出电极(P1)、第2输入输出电极(P2)、接地电极(GP1、GP2)、二极管元件(D1)、电容器元件(C1)、和电感器元件(L1)。电容器元件(C1)和二极管元件(D1)形成于第1主面(PS1)侧,电感器元件(L1)形成于第2主面侧。电感器元件(L1)经由从第1主面(PS1)贯通至第2主面(PS2)的第1导通导体(TSV1)和第2导通导体(TSV2)而与第1输入输出电极(P1)和第2输入输出电极(P2)分别连接。
技术领域
本实用新型涉及具有ESD保护功能的薄膜ESD保护器件,特别是涉及具备电容器、电感器、和二极管的薄膜ESD保护器件。
背景技术
以往,为了防止由ESD(Electro-Static Discharge;静电放电)导致的电子设备的损伤、误动作等,利用各种ESD保护电路。ESD保护电路是用于将ESD释放到地面等而保护后段的电子电路免受ESD影响的电路,例如配置于信号线路与地面(接地)之间。
例如,在专利文献1公开了为了应对ESD保护,在天线端子的附近设置具有ESD保护功能的滤波电路的电子设备。
专利文献1:日本特开2008-54055号公报
但是,为了构成专利文献1所示的具有ESD保护功能的电路,若将多个分立部件配置在安装基板上,则存在安装面积增大的问题。另外,由于将用于连接分立部件的布线形成于安装基板,所以布线长度增长,由此也存在寄生电感增大,无法获得所需的特性之虞。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种能够抑制电特性的变动,并且减少所需的安装面积的小型的薄膜ESD保护器件。
(1)本实用新型的薄膜ESD保护器件的特征在于,具备:
半导体基板,具有相互对置的第1主面和第2主面;
第1绝缘层,形成于上述第1主面;
第1输入输出电极、第2输入输出电极和接地电极,形成于上述第1绝缘层的表面;
二极管元件,形成于上述半导体基板的上述第1主面侧,具有与上述第1输入输出电极电连接的第1端和与上述接地电极电连接的第2端;
电容器元件,形成于上述半导体基板的上述第1主面侧,具有与上述第2输入输出电极电连接的第3端和与上述接地电极电连接的第4端;和
电感器元件,形成于上述半导体基板的上述第2主面侧,具有第5端和第6端,
上述电感器元件的上述第5端经由从上述半导体基板的上述第1主面贯通至上述第2主面的第1导通导体而与上述第1输入输出电极电连接,
上述电感器元件的上述第6端经由从上述半导体基板的上述第1主面贯通至上述第2主面的第2导通导体而与上述第2输入输出电极电连接。
在该结构中,二极管元件、电容器元件和电感器元件形成为一体。因此,与将作为分立部件的贴片式电感器、贴片式电容器和贴片式二极管搭载于安装基板等的情况相比,该结构能够减少电路结构所需的安装面积。另外,与将分立部件搭载于安装基板等的情况相比,通过该结构能够缩短电感器元件与二极管元件之间的布线长度、和电感器元件与电容器元件之间的布线长度。因此,能够减小电感器元件与二极管元件之间的布线、和电感器元件与电容器元件之间的布线上的导体电阻、寄生电感,能够实现ESD抑制电压较低,且响应性较高的薄膜ESD保护器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造