[发明专利]快闪存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；

在半导体衬底上形成浮栅极结构膜；

在所述浮栅极结构膜上形成掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口，第一开口暴露出部分浮栅极结构膜表面；

在所述第一开口侧壁形成第一侧墙；

以所述掩膜层和第一侧墙为掩膜，刻蚀去除源线区的半导体衬底上的浮栅极结构膜，形成第二开口，所述第二开口暴露出的半导体衬底源线区表面；

在所述第二开口暴露出的半导体衬底源线区内形成源区；

在所述第二开口内形成源线层，所述源线层顶部表面低于浮栅极结构膜顶部表面；所述源线层与源区电连接；

在所述源线层上和第一开口内形成擦除栅极结构；

形成所述擦除栅极结构后，以所述擦除栅极结构及所述第一侧墙为掩膜，去除半导体衬底的字线位线区上的掩膜层及浮栅极结构膜，形成浮栅极结构。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括字线位线区，所述字线位线区位于源线区和浮栅区两侧，且所述字线位线区与浮栅区邻接；还包括：分别在擦除栅极结构、浮栅极结构和源线层两侧字线位线区上形成字线结构，所述字线结构覆盖浮栅极结构侧壁；在字线结构、源线层和浮栅极结构两侧的半导体衬底字线位线区中形成漏区。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述源区的形成方法包括：形成第二开口后，对所述第二开口暴露出的半导体衬底进行离子掺杂，形成源区。

4.根据权利要求3所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成源线层后，形成擦除栅极结构之前，还包括：去除部分第一侧墙，使得所述第一侧墙暴露出部分浮栅极结构顶部表面；在所述源线层上、浮栅极结构上和第一开口内形成擦除栅极结构。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅极结构的高度为300埃～2000埃。