[发明专利]快闪存储器及其形成方法

说明书

一种快闪存储器及其形成方法，快闪存储器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；位于所述半导体衬底源线区内的源区；位于所述源区上的源线层，所述源线层与源区电连接；分别位于半导体衬底的浮栅区上的浮栅极结构，所述浮栅极结构的高度大于源线层的高度；位于源线层上的擦除栅极结构。所述快闪存储器的性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种快闪存储器及其形成方法。

背景技术

快闪存储器是集成电路产品中一种重要的器件。快闪存储器的主要特点是在不加电压的情况下能长期保持存储的信息。快闪存储器具有集成度高、较快的存取速度和易于源线等优点，因而得到广泛的应用。

快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过源线的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为源线栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过源线效应。

然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种快闪存储器及其形成方法，以提高快闪存储器的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种快闪存储器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；位于所述半导体衬底源线区内的源区；位于所述源区上的源线层，所述源线层与源区电连接；分别位于半导体衬底的浮栅区上的浮栅极结构，所述浮栅极结构的高度大于源线层的高度；位于源线层上的擦除栅极结构。

可选的，所述浮栅极结构的高度为300埃～2000埃。

可选的，所述源线层的高度为300埃～2000埃。

可选的，所述擦除栅极结构还覆盖部分浮栅极结构顶部表面。

可选的，所述半导体衬底还包括字线位线区，所述字线位线区位于源线区和浮栅区两侧，且所述字线位线区与浮栅区邻接；所述快闪存储器还包括：位于字线位线区上的字线结构；位于字线结构、源线层和浮栅极结构两侧的半导体衬底中的漏区。

可选的，擦除栅极结构包括：擦除栅极氧化层和位于擦除栅极氧化层表面的擦除栅极层；所述擦除栅极氧化层覆盖源线层表面。

可选的，浮栅结构包括：浮栅极氧化层和位于浮栅极氧化层表面的浮栅极层；所述浮栅极氧化层位于半导体衬底的浮栅区表面。

可选的，字线结构包括：字线氧化层和位于字线氧化层表面的字线层；所述字线氧化层位于半导体衬底的字线位线区表面。

本发明还一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括源线区和浮栅区，所述浮栅区与源线区邻接且位于源线区两侧；在所述半导体衬底源线区内形成源区；在所述源区上形成源线层，所述源线层与源区电连接；分别在半导体衬底的浮栅区上形成浮栅极结构，所述浮栅极结构的高度大于源线层的高度；在所述源线层上形成擦除栅极结构。

可选的，形成所述擦除栅极结构后形成所述浮栅极结构。

可选的，所述字线位线区位于源线区和浮栅区两侧，且所述字线位线区与浮栅区邻接。还包括：分别在字线位线区上形成字线结构，所述字线结构覆盖浮栅极结构侧壁；在字线结构、源线层和浮栅极结构两侧的半导体衬底中形成漏区。