[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极掺杂区；

对所述衬底背面进行减薄；

在所述减薄后的衬底背面形成介质层；

刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出所述衬底内的共源极掺杂区；

在所述开口内填充导电层，连接所述共源极掺杂区，所述导电层作为共源极接触部。

2.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极掺杂区；

对所述衬底背面进行减薄暴露出形成在衬底内的介质层；

刻蚀所述介质层，形成开口，所述开口暴露出所述衬底内的共源极掺杂区；

在所述开口内填充导电层，连接所述共源极掺杂区，所述导电层作为共源极接触部。

3.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底包括体硅层、介质层、薄硅层，所述介质层形成在体硅层和薄硅层之间。

4.根据权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述对所述衬底背面进行减薄暴露出形成在衬底内的介质层包括：去除所述衬底中的体硅层结构，直至暴露出所述介质层。

5.根据权利要求1或2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和控制栅层。

6.根据权利要求1或2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储基底的形成方法包括：

提供一衬底，在所述衬底正面形成初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层；

形成贯穿所述初始堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构；

形成贯穿所述初始堆叠结构至衬底表面的栅线隔槽；

对所述栅线隔槽底部的衬底进行掺杂，形成共源极掺杂区；

沿所述栅线隔槽去除所述牺牲层；

在相邻的绝缘层之间形成控制栅层；

填充所述栅线隔槽，形成隔离墙。

7.根据权利要求1或2所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：提供电路基底，在对所述衬底背面进行减薄之前，将所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接。

8.根据权利要求1或2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述开口的宽度小于或等于所述共源极掺杂区的宽度。

9.根据权利要求1或2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储基底正面的存储堆叠结构顶部还形成有连接沟道柱结构部顶部的位线。

10.一种存储器，其特征在于，包括：

存储基底，所述存储基底包括衬底、形成于所述衬底正面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构内形成有贯穿所述存储堆叠结构至衬底表面的沟道柱结构和隔离墙，所述隔离墙底部的衬底内形成有共源极掺杂区；

位于衬底背面的介质层；

位于所述介质层内连接至所述共源极掺杂区的导电层，所述导电层作为共源极接触部。

11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和控制栅层。

12.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，还包括：电路基底，所述存储基底正面与所述电路基底正面键合连接。

13.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述导电层的宽度小于或等于所述共源极掺杂区的宽度。

14.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述存储基底正面的存储堆叠结构顶部还形成有连接沟道柱结构顶部的位线。