[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底表面形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层，所述绝缘层的厚度自衬底表面向上逐渐变大；

刻蚀所述堆叠结构至衬底表面，形成贯穿所述堆叠结构的栅线隔槽；

采用湿法刻蚀工艺，沿所述栅线隔槽，去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述湿法刻蚀工艺对所述绝缘层的刻蚀量自衬底表面向上逐渐增大，所述绝缘层厚度的变化用于抵消对所述绝缘层的刻蚀量的变化。

2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括若干子堆叠层，所述子堆叠层包括相邻堆叠的一层绝缘层和一层牺牲层；各子堆叠层的厚度一致。

3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，自衬底表面向上，各绝缘层的厚度依次增大。

4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，自衬底表面向上，若干相邻绝缘层为一绝缘层组，同一绝缘层组内的绝缘层厚度一致；相邻绝缘层组的绝缘层厚度依次增大。

5.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构包括至少两个子堆叠结构，相邻子堆叠结构之间具有衔接层，所述衔接层的厚度大于绝缘层厚度。

6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，将衬底浸没于盛有刻蚀溶液的刻蚀槽内进行所述湿法刻蚀。

7.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层之后，在相邻绝缘层之间形成控制栅层。

8.根据权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：

形成所述控制栅层之后，形成覆盖所述栅线隔槽侧壁的控制栅层与绝缘层的隔离层，以及填充满所述栅线隔槽的共源极接触部。

9.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：

在形成所述栅线隔槽之前，形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔结构。

10.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储器为3D NAND存储器。

11.一种存储器，采用权利要求1-9任意一项所述的形成方法制备，其特征在于，所述存储器包括：

衬底，位于所述衬底表面的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构包括自衬底表面交替堆叠的绝缘层和控制栅层，各绝缘层与衬底之间的距离与绝缘层的厚度分布无关。

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，各绝缘层厚度一致。

13.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括若干子堆叠层，所述子堆叠层包括相邻的一层绝缘层和一层控制栅层；各子堆叠层的厚度一致。

14.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储堆叠结构包括至少两个子堆叠结构，相邻子堆叠结构之间具有衔接层，所述衔接层的厚度大于绝缘层厚度。

15.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述衬底上形成有贯穿所述存储堆叠结构的沟道孔结构以及贯穿所述存储堆叠结构的共源极接触部。

16.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述存储器为3D NAND存储器。