[发明专利]显示基板的制作方法及显示基板、显示装置有效
申请号: | 201910002690.7 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109728052B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L41/08;H01L41/09;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 胡萌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成像素界定层,所述像素界定层的材料包括电致变形材料,所述像素界定层包括用于界定出子像素有效显示区域的阻挡坝,所述阻挡坝的侧面与底面所呈的夹角小于或等于90°;
极化所述阻挡坝,所述阻挡坝的极化方向由所述阻挡坝的底面指向所述阻挡坝的顶面或者由所述阻挡坝的顶面指向所述阻挡坝的底面;
向所述阻挡坝施加与所述极化方向相同的电场,使所述阻挡坝的侧面中部鼓起,所述阻挡坝的侧面靠近所述衬底基板的区域与所述阻挡坝的底面之间的夹角大于90°;
采用喷墨打印工艺,在所述子像素有效显示区域内形成子像素;
使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述形成子像素的步骤之后,还包括对所形成的子像素进行干燥的步骤;
在所述对所形成的子像素进行干燥的步骤中,执行所述使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩的步骤。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,采用撤去施加在所述阻挡坝上的电场的方式,或者采用向所述阻挡坝施加与所述极化方向相反的电场的方式,使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在所述在衬底基板上形成像素界定层的步骤之前,还包括:在所述衬底基板上形成第一电极层;
在向所述阻挡坝施加电场时,将用于提供电场的外接电源的其中一个电压端与所述第一电极层电连接,将所述外接电源的另外一个电压端与所述阻挡坝的顶面电连接。
5.根据权利要求1~4任一项所述的显示基板的制作方法,其特征在于,在向所述阻挡坝施加与所述极化方向相反的电场的步骤之后,还包括:在所述子像素及所述像素界定层背向所述衬底基板的一侧形成第二电极层。
6.一种显示基板,包括衬底基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置于所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层的材料包括电致变形材料;所述像素界定层包括用于界定出子像素有效显示区域的阻挡坝;
所述阻挡坝配置为:在形成所述像素界定层的初始状态下,及在所述子像素有效显示区域内形成子像素之后,所述阻挡坝侧面与底面所呈的夹角小于或等于90°;采用喷墨打印工艺,在所述子像素有效显示区域内形成子像素之前及形成子像素之前的过程中,所述阻挡坝的侧面中部鼓起,所述阻挡坝的侧面靠近所述衬底基板的区域与所述阻挡坝的底面之间的夹角大于90°。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,在形成所述像素界定层的初始状态下,及在所述子像素有效显示区域内形成子像素之后,所述阻挡坝的截面的形状为梯形、类梯形或矩形。
8.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述电致变形材料包括极性高分子材料和二氧化硅气凝胶的复合材料;或者,所述电致变形材料包括二氧化钛和硅橡胶的复合材料。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求6~8任一项所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的