[发明专利]显示基板的制作方法及显示基板、显示装置有效
申请号: | 201910002690.7 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109728052B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 胡春静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L41/08;H01L41/09;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 胡萌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板的制造方法及显示基板、显示装置,涉及显示技术领域,以解决由于成膜厚度不均匀所造成的发光不均匀,及避免后续制作过程中阴极层断裂的问题。其中制造方法包括:在衬底基板上形成像素界定层,像素界定层的材料包括电致变形材料,像素界定层包括阻挡坝,阻挡坝的侧面与底面所呈的夹角≤90°;极化阻挡坝;向阻挡坝施加与极化方向相同的电场,使阻挡坝的侧面中部鼓起,阻挡坝的侧面靠近衬底基板的区域与阻挡坝的底面之间的夹角>90°;在子像素有效显示区域内形成子像素;向阻挡坝施加与极化方向相反的电场,使阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩。上述制造方法应用于诸如有机发光二极管显示装置制作中。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板的制造方法及显示基板、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示屏具有主动发光、高对比度、超轻薄、耐低温、响应速度快、功耗低、视角广、抗震能力强等优点,而且适用于柔性显示和3D显示中,是显示领域的关注焦点。
OLED显示基板包括诸如彩色树脂材料形成的子像素,目前对于子像素的制作,主要有两种制作工艺:蒸镀工艺和喷墨打印工艺。喷墨打印工艺的工艺过程较为简单,能够实现大批量生产;同时相对于传统的蒸镀工艺,喷墨打印技术更加精确,尤其是处理大尺寸显示基板时更具优势。
如图1所示,喷墨打印工艺制作OLED显示基板时,需要预先在衬底基板1上形成像素界定层2,像素界定层2用于界定出子像素的有效显示区域,使子像素墨水准确流入该有效显示区域。然而,在一些现有技术中存在子像素墨水沿着像素界定层2的侧壁攀爬的现象,导致子像素成膜厚度不均匀,进而引起子像素发光不均匀。在另一些现有技术中,喷墨打印子像素后,后续制程中出现阴极层断裂的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,以解决由于子像素成膜厚度不均匀所造成的发光不均匀的问题,同时避免后续制作过程中阴极层断裂。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
第一方面,本发明的实施例提供了一种显示基板的制造方法,包括:在衬底基板上形成像素界定层,所述像素界定层的材料包括电致变形材料,所述像素界定层包括用于界定出子像素有效显示区域的阻挡坝,所述阻挡坝的侧面与底面所呈的夹角小于或等于90°;极化所述阻挡坝,所述阻挡坝的极化方向由所述阻挡坝的底面指向所述阻挡坝的顶面或者由所述阻挡坝的顶面指向所述阻挡坝的底面;向所述阻挡坝施加与所述极化方向相同的电场,使所述阻挡坝的侧面中部鼓起,所述阻挡坝的侧面靠近所述衬底基板的区域与所述阻挡坝的底面之间的夹角大于90°;在所述子像素有效显示区域内形成子像素;向所述阻挡坝施加与所述极化方向相反的电场,使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩。
在上述显示基板的制作方法中,像素界定层中的阻挡坝的材料包括电致变形材料,对阻挡坝进行极化后,由于电致变形材料的电致变形性质,通过施加并控制阻挡坝的极化方向上的电场,使阻挡坝产生沿其极化方向上的形变:在形成子像素之前,通过对阻挡坝施加与阻挡坝极化方向相同的电场,让阻挡坝产生压缩形变,使阻挡坝的侧面鼓起(即阻挡坝的侧面靠近衬底基板的区域与阻挡坝的底面之间的夹角大于90°),以限制在制备子像素时子像素墨水沿着阻挡坝的侧面攀爬,从而使子像素的成膜厚度均匀,进而提高了显示装置的发光均匀性;在子像素形成之后,使阻挡坝的侧面鼓起回缩(即阻挡坝的侧面与底面所呈的夹角小于或等于90°),以避免后续制作阴极层时阴极层出现断裂,保证了显示装置的有效显示面积不缩小。
可选的,在所述形成子像素的步骤之后,还包括对所形成的子像素进行干燥的步骤;在所述对所形成的子像素进行干燥的步骤中,执行所述使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩的步骤。
可选的,采用撤去施加在所述阻挡坝上的电场的方式,或者采用向所述阻挡坝施加与所述极化方向相反的电场的方式,使所述阻挡坝的侧面中部的鼓起回缩。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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