[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201910002758.1 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN109728054A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辅助电极 第一电极 发光功能层 开口部 制备 像素界定层 衬底基板 第二电极 显示面板 显示装置 覆盖 产品良率 电极电阻 无重叠 正投影 开孔 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,采用该制备方法可有效降低电极电阻并提高产品良率。该制备方法包括:在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极;辅助电极与第一电极在衬底基板上的各自正投影无重叠的区域;形成像素界定层;像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部;第一开口部与第一电极一一对应,且露出第一电极;第二开口部与辅助电极一一对应,且露出辅助电极;形成发光功能层,发光功能层覆盖像素界定层、第一电极被露出的区域及辅助电极被露出的区域;在发光功能层覆盖辅助电极的区域内,形成露出辅助电极的开孔;形成第二电极,第二电极覆盖发光功能层及辅助电极被露出的区域。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
根据发光方向的不同,OLED(即Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)器件可分为底发射型(即Bottom Emission)和顶发射型(即Top Emission)。对于底发射型OLED器件而言,由于其发射出的光线是通过衬底基板一侧射出,故显示面板的开口率会受到位于OLED器件下方的驱动晶体管等不透光结构的限制,难以满足高分辨率显示的需求,因此,目前多采用顶发射型OLED器件,即发光层发出的光从上方的阴极一侧射出,不会受到下方不透光结构的限制。
在顶发射型OLED器件中,阴极的材料通常为IZO(即Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)等透明导电氧化物,以提高出光率。但是,IZO等透明导电氧化物的导电性相比于金属较差,导致阴极电阻较大,进而产生阴极电压降(IR Drop,即电阻两端的电位差)较大的问题,从而影响信号传输效率。并且,随着显示面板尺寸的增大,阴极电压降的问题愈发严重,导致信号传输发生明显延迟,影响显示品质。
现有技术中,为解决阴极电压降的问题,采用的一种方式是在彩膜基板的隔垫物(即Post Spacer,简称为PS)表面形成辅助电极(即Auxiliary Electrode,简称为AUX),将彩膜基板与发白光的OLED显示面板进行对合后,将PS表面的辅助电极压合在OLED器件中位于上方的阴极表面,以使二者相接触,从而降低阴极的电阻。
然而,由于PS通常采用弹性材料制成,在压合的过程中容易发生偏移,导致辅助电极与阴极接触面积不足,无法有效降低阴极电阻;并且,当压合力过大时,还会导致厚度较小的阴极被压碎,产生水汽入侵和/或阴极与阳极发生短路不良,从而使得显示面板上产生黑点等显示不良,降低产品良率。
发明内容
鉴于此,为解决现有技术的问题,本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,采用该制备方法形成的显示面板,可在有效降低电极电阻的同时,提高产品良率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例一方面提供了一种显示面板的制备方法,所述制备方法包括:在衬底基板上形成多个第一电极及至少一个辅助电极;所述辅助电极与所述第一电极在所述衬底基板上的各自正投影无重叠的区域;在所述衬底基板上形成像素界定层;所述像素界定层上形成有多个第一开口部和至少一个第二开口部;所述第一开口部与所述第一电极一一对应,且露出所述第一电极;所述第二开口部与所述辅助电极一一对应,且露出所述辅助电极;形成发光功能层,所述发光功能层覆盖所述像素界定层、所述第一电极被露出的区域及所述辅助电极被露出的区域;在所述发光功能层覆盖所述辅助电极的区域内,形成露出所述辅助电极的开孔;形成第二电极,所述第二电极覆盖所述发光功能层及所述辅助电极被露出的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的