[发明专利]掩模版制作方法和掩模版

说明书

本发明涉及一种掩模版制作方法和掩模版，其中，掩模版制作方法包括：建立OPC程序；提供设计图形，对设计图形中的转角图形进行预处理；根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算；按照OPC运算后的图形制作掩模版，从而不仅可以保证中间CD满足实际需求，而且可以保证转角CD满足实际需求，有效避免了通过牺牲转角CD来满足中间CD导致的转角过于圆弧化而无法满足用户需求的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种掩模版制作方法和掩模版。

背景技术

随着超大规模集成电路的飞速发展，集成电路制造工艺变得越来越复杂和精细。在0.13um及以下技术节点的关键层次中，如TO(有源区层次)、GT(栅氧层次)以及An(金属连线层次)等关键层次的CD(关键尺寸)越来越小，某些关键层次的CD已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长248nm，因此在光刻中的曝光过程中，由于光的干涉和衍射现象，实际产品晶片上得到的光刻图形与掩膜版图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响电路性能和生产成品率。

相关技术中为了消除上述误差，通常使用OPC(光学邻近效应矫正)方法对设计图进行一定的修正。但是，已有的OPC方式是通过牺牲转角CD来满足中间CD的要求，这样就会导致转角圆弧化后无法满足用户的一些特殊需求，例如，用当前已有OPC方式来修正0.11umULL(超低漏电)的特殊单元(cell)时，由于TO转角圆弧化较大，导致无法满足下述需求：1)FG(浮栅)覆盖TO，中间CD与边缘CD尺寸相差越小越好；2)TO转角与FG形成的夹角不能过小。

发明内容

基于此，有必要针对转角圆弧化后无法满足用户需求的问题，提供一种掩模版制作方法和掩模版。

一种掩模版制作方法，包括：

建立OPC程序；

提供设计图形，对设计图形中的转角图形进行预处理；

根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算；

按照OPC运算后的图形制作掩模版。

在其中一个实施例中，对设计图形中的转角图形进行预处理，包括：

对转角图形进行尺寸分解；

确定分解后的转角图形的尺寸数据；

根据转角图形的尺寸数据进行OPC仿真，获得转角仿真图形；

判断转角仿真图形的关键尺寸与目标转角关键尺寸的差值是否处于第一预设范围内；

如果否，则对转角图形的尺寸数据进行调整，并根据调整后的转角图形的尺寸数据进行OPC仿真，直至仿真后获得的转角仿真图形的关键尺寸与目标转角关键尺寸的差值处于第一预设范围内时，调整后的转角图形作为预处理后的转角图形。

在其中一个实施例中，在按照OPC运算后的图形制作掩模版之前，方法还包括：

验证OPC运算后的图形的关键尺寸与目标关键尺寸的差值是否处于第二预设范围内；

如果是，则按照OPC运算后的图形制作掩模版；

如果否，则重新根据OPC程序，对包含预处理后的转角图形的设计图形进行OPC运算。

在其中一个实施例中，验证OPC运算后的图形的关键尺寸与目标关键尺寸的差值是否处于第二预设范围内，包括：

对OPC运算后的图形进行OPC仿真，获得OPC运算后的图形的关键尺寸；

将OPC运算后的图形的关键尺寸与目标关键尺寸进行比较，以获得两者间的差值；

判断差值是否处于第二预设范围内。