[发明专利]沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法

权利要求书

1.一种沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：用开沟机开沟，然后漂洗，一次烘干后再用混酸腐蚀，混酸为硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，混酸腐蚀的时间为1.8-2.2分钟，水洗后二次烘干。

2.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：开沟为开V型槽，开沟深度为：135-140μm，V型槽顶部开口的宽度为：250-300μm。

3.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：开沟时间为3-5分钟。

4.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：漂洗为：先用清洗剂超声9-11分钟，再用70℃-90℃的热纯水超声9-11分钟，最后用流水浸泡9-11分钟。

5.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：混酸由体积比为9.0-9.2：9.0-9.2：12.0-12.2：4.0-4.2的硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸组成。

6.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：水洗时间为2-2.1分钟。

7.根据权利要求1所述的沟槽刻蚀加工工艺，其特征在于：二次烘干的温度为148-152摄氏度，时间为半小时。

8.一种二极管的生产方法，其特征在于：包括权利要求1-7任一所述的沟槽刻蚀加工工艺。

9.根据权利要求8所述的二极管的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)硅片清洗；

(2)磷硼扩散；

(3)所述的沟槽刻蚀加工工艺；

(4)RCA清洗；

(5)涂玻璃，烧玻璃；

(6)镀镍开窗；

(7)镀镍及镍烧结；

(8)镀金。

10.根据权利要求9所述的二极管的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)硅片清洗：用清洗剂超声，纯水冲洗，用氢氟酸浸泡，纯水清洗，烘干；

(2)磷硼扩散：先扩磷，扩磷温度为1200℃，时间为3个小时；再喷砂；然后扩硼，扩硼温度为1260℃，时间为24小时；

(3)所述的沟槽刻蚀加工工艺；

(4)RCA清洗：用氢氟酸浸泡，冲水，在1号溶液中75℃条件下煮至少6分钟，冲水，然后在2号溶液中75℃条件下煮6分钟，清洗后烘干；其中：1号溶液为：2500ml纯水、500ml浓度为30-35％的双氧水和500ml浓度为25-28％的氨水的混合液；2号溶液为2500ml纯水、500ml浓度为30-35％的双氧水和500ml浓度为36％的盐酸的混合液；

(5)涂玻璃，烧玻璃：一次涂玻璃浆，在温度650℃下保温1小时，一次涂玻璃浆的过程中通氧气，氧气流量为5L/分；再二次涂玻璃浆，在温度830℃下烧结15分钟，二次涂玻璃浆的过程中通氧气，氧气流量为10L/分；然后改为通氮气，氮气流量为10L/分；

(6)镀镍开窗：涂光刻胶，在90-100℃下烘烤30-35分钟，然后经曝光、显影和定影后在130-140℃下坚膜，坚膜时间为40-50分钟；采用盐酸和氢氟酸的混合液低温开窗，低温温度为-10℃，待温度升至-5℃时拿出，冲洗和硫酸去胶后，烘干；其中：盐酸和氢氟酸的混合液为3.6升浓度为36％的盐酸和0.6升浓度为49-50％的氢氟酸的混合液；

(7)镀镍及镍烧结：清洗，依次用氢氟酸及氯化金溶液处理后，冲水；一次镀镍，冲水烘干后，扩散炉升温至570-590℃烧结；采用浓度为65-68％的硝酸和纯水混合得到的硝酸溶液去掉镍表面氧化层，清洗，依次用氢氟酸及氯化金溶液处理，清洗后二次镀镍；其中：一次镀镍和二次镀镍的配比均为：20L纯水中加入1200g氯化镍、2000g氯化铵和2600g柠檬酸，搅拌后加入400g次亚磷酸钠；氢氟酸与氯化金溶液的体积比为250:2500，氯化金溶液的制备方法为：将1g氯化金和250ml盐酸配比得到氯化金储备液，将50ml氯化金储备液与10ml氢氟酸混合，然后再加入纯水至2500ml；

(8)镀金：采用镀金液镀金，镀金温度为90-92℃，冲水，烘烤。