[发明专利]沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法

说明书

本发明属于二极管生产领域，具体涉及一种沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法。用开沟机开沟，然后漂洗，一次烘干后再用混酸腐蚀，混酸为硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，混酸腐蚀的时间为1.8‑2.2分钟，水洗后二次烘干。开沟为开V型槽，开沟深度为：135‑140μm，V型槽顶部开口的宽度为：250‑300μm。本发明完全不需要光刻工艺就能完成晶片的沟槽刻蚀，避免了繁琐的黄光过程，无需使用昂贵的光刻胶和光刻设备，采用简单的工艺和较短的时间完成晶片的沟槽刻蚀，极大的提高效率，良品率高，节约时间和能源，保护环境，本发明还提供一种二极管的生产方法，制备的二极管性能优异。

技术领域

本发明属于二极管生产领域，具体涉及一种沟槽刻蚀加工工艺及二极管的生产方法。

背景技术

目前高频整流二极管的生产工艺包含三次黄光光刻，其中第一次黄光光刻目的是对晶片进行沟槽刻蚀，以暴露PN节，为玻璃的钝化保护提供条件，同时也是为了将晶片分成若干个独立的晶粒，便于切割分离。但是众所周知，光刻工艺步骤繁琐，包括涂胶、曝光、显影、定影、坚膜、去胶以及漂洗等。当前传统黄光刻沟工艺流程为：1.拿取清洗片入光刻站、2.硅片表面涂胶、3.前烘(软烘)、4.对准与曝光、5.显影与定影、6.坚膜(硬烘)、7.检查、填写记录及收尾工作、8.品管检验、9.一次光刻片腐蚀、10.用纯水冲洗残留酸液、11.甩干与烘烤、12.检查、填写记录、13.品管检验、14.磷面补胶、15.烘烤、16.拿取材料至台腐站、17.检查准备工作、18.二遍光刻片腐蚀、19.用纯水冲水、20.硫酸去胶、21.冲水、22.甩干与烘干、23.检查收片及收尾、24.品管检验、25.测试TRR值、26.开沟材料至清洗站，全部工艺步骤多达26步，工艺复杂，而且仅黄光光刻进行沟槽刻蚀的完成时间就长达2-3小时。

光阻剂的涂布完整性、附着的牢固程度以及涉及到的显影定影工艺的稳定性，都决定了沟槽的蚀刻质量，影响因素复杂。黄光光刻进行沟槽刻蚀，不仅工艺步骤繁杂，要求苛刻，而且光刻胶品质以及光刻设备要求都比较高，好的光刻胶一般需要进口，光刻设备比较昂贵，以上因素都意味着人力、原材料以及设备的诸多要求，因此生产成本居高不下。同时，光刻工艺涉及到的光刻胶、显影定影化学品的使用以及此后的去胶清洗工艺，都会对环境造成污染。但是，黄光光刻进行沟槽刻蚀是当前通行的解决办法，没有更好的替代工艺，是目前硅二极管生产工艺的一个难题。当前的研究都是围绕黄光光刻工艺的提高，还没有能做到完全不用黄光光刻进行高质量的沟槽刻蚀的报道。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种沟槽刻蚀加工工艺，完全不需要光刻工艺就能完成晶片的沟槽刻蚀，避免了繁琐的黄光过程，无需使用昂贵的光刻胶和光刻设备，只需要使用开沟机，采用简单的工艺和较短的时间完成晶片的沟槽刻蚀，极大的提高效率，良品率高，大大降低工艺繁杂性，节约时间和能源，保护环境，本发明还提供一种二极管的生产方法，制备的二极管性能优异。

本发明所述的沟槽刻蚀加工工艺，用开沟机开沟，然后漂洗，一次烘干后再用混酸腐蚀，混酸为硝酸、氢氟酸、醋酸和硫酸的混合物，混酸腐蚀的时间为1.8-2.2分钟，水洗后二次烘干。

其中：

开沟深度为：135-140μm，宽度为：250-300μm。优选地，开沟为开V型槽，开沟深度为：135-140μm，V型槽顶部开口的宽度为：250-300μm。用开沟机开沟时间仅需3-5分钟。

本发明完全不需要光刻工艺就能完成晶片的沟槽刻蚀，避免了繁琐的黄光过程，无需使用昂贵的光刻胶和光刻设备，只需要使用开沟机，通过控制开沟形状、深度、宽度、时间和把握腐蚀时间，仅在3-5分钟就能完成晶片的沟槽刻蚀。

漂洗为：先用清洗剂超声9-11分钟，再用70℃-90℃的热纯水超声9-11分钟，最后用流水浸泡9-11分钟。清洗剂采用本领域常规市售的清洗剂。采用此种漂洗方法，能够去掉机械开沟产生的碎屑，且不对沟产生影响。