[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201910004119.9 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN109712931A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 常新园;莫再隆;周刚;唐菲;赵晓东 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G03F7/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 无机绝缘薄膜 薄膜晶体管 干法刻蚀工艺 介质层图案 导电薄膜 导电走线 显示面板 研磨 光刻胶 平坦层 制作 绝缘层 薄膜晶体管制造 图案 层间介质层 产品良率 显示装置 覆盖层 制作源 刻蚀 漏层 漏极 涂覆 显影 线槽 源层 源极 瑕疵 剥离 曝光 引入
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:

在第一绝缘层上形成平坦层;

在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜;

在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光和显影,并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜,以形成层间介质层图案;所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;

剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶;

形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜;

采用研磨工艺研磨所述导电薄膜,以形成源极、漏极和导电走线。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在第一绝缘层上形成平坦层之前,所述制作方法还包括:

在衬底基板上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述在第一绝缘层上形成平坦层之前,所述制作方法还包括:

在衬底基板上形成栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层;

在所述第二绝缘层上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述研磨工艺为化学机械研磨。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述导电薄膜的制作材料为铜。

6.根据权利要求1或5所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜具体为:

采用电沉积方式形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜。

7.一种使用权利要求1至6中任意一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:

设置在第一绝缘层上的平坦层;

所述平坦层上设置有层间介质层图案;所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;

所述层间介质层图案上设置有源极、漏极和导电走线。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:

设置在衬底基板上的有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层;

设置在所述第二绝缘层上的栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括:

设置在衬底基板上的栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层;

设置在所述第二绝缘层上的有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。

10.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求7至9中任意一项所述的薄膜晶体管。

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