[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板在审

专利信息
申请号: 201910004119.9 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN109712931A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 常新园;莫再隆;周刚;唐菲;赵晓东 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;G03F7/20
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 无机绝缘薄膜 薄膜晶体管 干法刻蚀工艺 介质层图案 导电薄膜 导电走线 显示面板 研磨 光刻胶 平坦层 制作 绝缘层 薄膜晶体管制造 图案 层间介质层 产品良率 显示装置 覆盖层 制作源 刻蚀 漏层 漏极 涂覆 显影 线槽 源层 源极 瑕疵 剥离 曝光 引入
【说明书】:

发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,涉及薄膜晶体管制造技术领域,能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵,从而导致产品良率较低的问题。所述薄膜晶体管包括:在第一绝缘层上形成平坦层;在平坦层上制作无机绝缘薄膜;在无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光和显影,并采用干法刻蚀工艺刻蚀无机绝缘薄膜,以形成层间介质层图案;层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;剥离掉无机绝缘薄膜上的光刻胶;形成覆盖层间介质层图案的导电薄膜;采用研磨工艺研磨导电薄膜,以形成源极、漏极和导电走线。本发明用于显示装置。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制造技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。

背景技术

无论是风靡全球的LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)显示面板,或是正处于发展开始阶段的OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示面板,阵列基板或BP(Backplane)背板作为显示面板制程中最重要、最复杂工序段,其工艺流程及mask(掩膜板)设计至关重要,而其中SD layer(源漏层)的mask设计和制造方案更为重中之重。

目前SD图案的形成是在ILD(Inter Layer Dielectric,层间介质层)完成打孔后进行SD沉积、SD mask和刻蚀,为了达到精确控制关键尺寸和线宽,SD金属层也必须采用DryEtch(干法刻蚀)的刻蚀方式。然而,干法刻蚀通常会引入较多数量和种类的杂质颗粒或瑕疵,这样会造成各层不良发生居高不下,从而导致成品良率较低。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵,从而导致产品良率较低的问题。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一方面,本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法,包括:在第一绝缘层上形成平坦层;在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜;在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶,进行曝光和显影,并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜,以形成层间介质层图案;所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶;形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜;采用研磨工艺研磨所述导电薄膜,以形成源极、漏极和导电走线。

可选的,所述在第一绝缘层上形成平坦层之前,所述制作方法还包括:在衬底基板上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。

可选的,所述在第一绝缘层上形成平坦层之前,所述制作方法还包括:在衬底基板上形成栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层;在所述第二绝缘层上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。

可选的,所述研磨工艺为化学机械研磨。

可选的,所述导电薄膜的制作材料为铜。

可选的,所述形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜具体为:采用电沉积方式形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜。

另一方面,本发明实施例提供一种使用上述任意一种所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:设置在第一绝缘层上的平坦层;所述平坦层上设置有层间介质层图案;所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽;所述层间介质层图案上设置有源极、漏极和导电走线。

可选的,所述薄膜晶体管还包括:设置在衬底基板上的有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层;设置在所述第二绝缘层上的栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。

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