[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

第三金属层，位于所述衬底基板上，用于传递触控信号；

第一钝化层，位于所述衬底基板上，并覆盖所述触控线层；

位于所述第一钝化层上的多个薄膜晶体管；

像素电极，位于所述第一钝化层上，并与所述薄膜晶体管相连接；

第二钝化层，位于所述薄膜晶体管上，并覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极；以及

公共电极层，位于所述第二钝化层上，

其中，所述阵列基板的储存电容包括所述像素电极、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述薄膜晶体管排列成晶体管阵列，分别包括用于提供源区和漏区的半导体层、用于形成源极和漏极的第二金属层、位于所述半导体层下方的栅极、以及夹在所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；

所述第二金属层位于所述第一绝缘层上，所述源极和所述漏极分别与所述源区和所述漏区相连接；

所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层为平整的片状，位于有效显示区域之上；

所述储存电容为平行板电容器，包括所述像素电极、所述像素电极正上方的所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层；

所述触控电容为平行板电容器，包括所述触控线层、所述触控线层正上方的所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极层之间仅包括所述第二钝化层；

所述触控线层与所述公共电极层之间仅包括所述第一钝化层、所述第一绝缘层以及所述第二钝化层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层包括：

多条彼此平行的金属触控线，多条所述金属触控线分别与不同的触控传感器相连接，用以传递触控信号。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

多条栅极线，分别与多个所述薄膜晶体管中相应的薄膜晶体管的栅极电连接；

多条源极线，分别与多个所述薄膜晶体管中相应的薄膜晶体管的源极电连接。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个所述薄膜晶体管的所述栅极和所述多条栅极线由第一金属层形成；

多个所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极以及所述多条源极线、由所述第二金属层形成。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第一钝化层、所述第二钝化层以及所述第二金属层设置为阶梯形状。

9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成衬底基板；

在所述衬底基板上形成第三金属层，将所述第三金属层图案化形成触控线；

在所述衬底基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述触控线；

在所述第一钝化层上形成第一金属层，将所述第一金属层图案化形成栅极线以及与所述栅极线相连接的栅极电极；

在所述第一钝化层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极线与所述栅极电极；

在所述第一绝缘层上的不同部位分别形成像素电极和半导体层；

在所述像素电极和所述半导体层上形成第二金属层，将所述第二金属层图案化形成源极线、漏极线以及与所述源极线连接的源极电极、与所述漏极线连接的漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极分别接触所述半导体层中的源区和漏区，所述漏极电极与所述像素电极相连接；

在所述第一绝缘层上形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述像素电极、所述半导体层以及图案化后的所述第二金属层；

在所述第二钝化层上形成公共电极层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板；

与所述阵列基板相对设置的滤光基板；以及

位于所述阵列基板和所述滤光基板之间的液晶分子。