[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板包括：衬底基板；第三金属层(触控线层)，位于衬底基板上；第一钝化层，位于衬底基板上，并覆盖触控线层；位于第一钝化层上的多个薄膜晶体管；像素电极，位于第一钝化层上，并与薄膜晶体管相连接；第二钝化层，位于薄膜晶体管上，并覆盖薄膜晶体管和像素电极；以及公共电极层，位于第二钝化层上，其中，阵列基板的储存电容包括像素电极、公共电极层以及二者之间的第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的第一钝化层、第二钝化层。本发明实施例公开的阵列基板，触控电容与储存电容包括不同的钝化层，能够同时实现触控电容小、储存电容大的性能要求。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

目前，市面上的触控显示面板包括外挂式和内嵌式两种。内嵌式显示面板是将触控感应器制作于面板结构内，直接把触控感应器置于薄膜晶体管液晶显示器面板模组中，触控功能整合于显示器内。

图1示出了现有技术中的内嵌式触控面板的阵列基板的剖面示意图，在现有技术中，内嵌式显示面板中阵列基板的架构如图1所示。在衬底基板10上依次堆叠第一金属层11和第一绝缘层12。第一绝缘层12上的不同位置上分别设置有像素电极13、半导体层14以及第二金属层15；其上设置有第一钝化层16。在第一钝化层16上依次堆叠第三金属层17、第二钝化层18以及公共电极层19。第三金属层(触控线层)17作为触控线，触控线与公共电极层19以及二者之间的介质形成触控电容。像素电极13与公共电极层19以及二者之间的介质形成储存电容。在现有技术的架构中，触控线与公共电极层19之间仅由第二钝化层18隔开，具有较大的触控电容；像素电极13与公共电极层19之间由第一钝化层16、第一绝缘层12以及第二钝化层18隔开，具有较小的储存电容。且由于触控电容与储存电容包括同层钝化层的限制，无法同时实现减小触控电容和增大储存电容，二者是相互矛盾的。但对于内嵌式显示面板，是希望触控电容小，储存电容大，以得到更好的触控及显示性能。

有鉴于此，急需设计一种内嵌式触控面板的阵列基板，或者对现有的内嵌式触控面板进行改进，以解决触控电容与储存电容相互矛盾的问题，能够同时减小触控电容和增大储存电容。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，从而同时实现触控电容小、储存电容大，得到更好触控及显示的性能。

根据本发明的一方面，提供一种阵列基板，包括：

衬底基板；

第三金属层(触控线层)，位于所述衬底基板上，用于传递触控信号；

第一钝化层，位于所述衬底基板上，并覆盖所述触控线层；

位于所述第一钝化层上的多个薄膜晶体管；

像素电极，位于所述第一钝化层上，并与所述薄膜晶体管相连接；

第二钝化层，位于所述薄膜晶体管上，并覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极；以及

公共电极层，位于所述第二钝化层上，

其中，所述阵列基板的储存电容包括所述像素电极、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。

优选地，多个所述薄膜晶体管排列成晶体管阵列，分别包括用于提供源区和漏区的半导体层、用于形成源极和漏极的第二金属层、位于所述半导体层下方的栅极、以及夹在所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；

所述第二金属层位于所述第一绝缘层上，所述源极和所述漏极分别与所述源区和所述漏区相连接；

所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接。