[发明专利]半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910005235.2 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN110416067B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 黄玉莲 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/306
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,包括:

形成一第一掩模层于一目标层上;

形成一第二掩模层于该第一掩模层上;

图案化该第二掩模层;

形成一第三掩模层于该图案化的第二掩模层上;

图案化该第三掩模层;

利用该图案化的第二掩模层及该图案化的第三掩模层作为一蚀刻掩模组合来蚀刻该第一掩模层;

去除该图案化的第三掩模层,以露出一部分的该第一掩模层;

对该第一掩模层的该露出部分进行一修整制程;以及

利用该第一掩模层来蚀刻该目标层,以形成多个开口于该目标层内。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,该第一掩模层包括硅,且该第二掩模层包括氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,该目标层设置于多个半导体鳍部上,且其中该目标层包括多晶硅。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,该目标层设置于多个半导体鳍部上,且其中该目标层包括金属。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,该图案化的第三掩模层延伸跨过位于该图案化的第二掩模层内的一间隙。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,还包括填入一导电材料于该目标层内的所述开口。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,在进行该修整制程之后,该第一掩模层的该露出部分具有一横向宽度为20nm。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,该修整制程包括一等离子体蚀刻制程。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其中,图案化该第二掩模层包括:

形成一第一图案化的光刻胶层于该第二掩模层上;

利用该第一图案化的光刻胶层作为一蚀刻掩模来蚀刻该第二掩模层;

去除该第一图案化的光刻胶层;

形成一第二图案化的光刻胶层于该第二掩模层上;

利用该第二图案化的光刻胶层作为一蚀刻掩模来蚀刻该第二掩模层;以及

去除该第二图案化的光刻胶层。

10.一种半导体装置的制造方法,包括:

沉积一硅层于一基底上;

沉积一氧化层于该硅层上;

图案化出多个第一掩模区于该氧化层内,所述第一掩模区由露出该硅层的多个间隙隔开;

沉积一光刻胶层于该硅层上;

图案化出多个第二掩模区于该光刻胶层内,其中所述第二掩模区的至少一者延伸跨过两相邻的所述第一掩模区之间的该间隙;

去除该硅层未覆盖所述第一掩模区及所述第二掩模区的部分,以于该硅层内形成多个第三掩模区;

去除所述第二掩模区;

进行一蚀刻制程,以蚀刻所述第三掩模区未覆盖所述第一掩模区的部分;以及

在进行该蚀刻制程之后,去除该基底未覆盖所述第三掩模区的部分。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,去除部分的该基底而形成多个开口于该基底内,且上述方法还包括形成多个接点于该基底内的所述开口内。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,该蚀刻制程蚀刻由所述第一掩模区覆盖的所述第三掩模区的一第一者的侧壁小于该蚀刻制程蚀刻未覆盖所述第一掩模区的所述第三掩模区的一第二者的侧壁。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其中,进行该蚀刻制程包括进行一干式蚀刻制程。

14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其中,该干式蚀刻制程使用HBr或Cl2作为制程气体。

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