[发明专利]一种测试基板及其制作方法、测试方法

权利要求书

1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；

在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；

对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；

在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接；

所述在每个所述测试孔内形成测试管脚之后，所述方法还包括：

将所述测试管脚与该测试管脚相邻的一条数据引线耦接；

所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔包括：

采用聚焦离子束溅射工艺，根据至少一个溅射计算模型，在对应每个所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极的位置分别进行离子束溅射，形成所述测试孔；

其中，所述溅射计算模型中的参数包括待形成的所述测试孔开口的尺寸、待形成的所述测试孔的深度、施加至离子束的电压和/或电流；

所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔还包括：

在对应每个所述目标薄膜晶体管源极、漏极或栅极的位置，分别进行离子束溅射时，采用终点检测方式对待形成的所述测试孔的溅射深度进行检测；

当目标深度与检测到的深度之间的深度差，位于深度阈值范围时，获取待形成的所述测试孔的离子束图像，和/或，电子束图像；

根据所述离子束图像，和/或，电子束图像，对待形成的所述测试孔继续进行聚焦离子束溅射工艺，直至待形成的所述测试孔的实际深度与所述目标深度相同。

2.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：去除位于所述测试管脚周围的残留金属。

3.根据权利要求2所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在相邻两个所述测试区的交界位置，将多层依次堆叠的薄膜层切断。

4.根据权利要求1-3任一项所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述测试孔的底部仅暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极。

5.根据权利要求2所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述去除位于所述测试管脚周围的残留金属包括：

采用聚焦离子束溅射工艺，去除在采用沉积工艺制作所述测试管脚时，位于所述目标薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极周围的残留金属；

获取所述目标薄膜晶体管的离子束图像，和/或，电子束图像，判断残留金属是否完全去除。

6.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管包括：

对所述显示基板进行点灯测试，获取缺陷所在的位置；

将所述缺陷所在位置处的薄膜晶体管作为所述目标薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管之前，所述方法还包括制作所述显示基板的方法；

制作所述显示基板的方法包括：

在衬底基板上形成多晶硅薄膜层，采用构图工艺以及离子掺杂工艺，形成薄膜晶体管的有源层，以及分别位于所述有源层两侧的源极和漏极；

在形成有上述结构的衬底基板上，依次形成第一栅极绝缘层以及第一金属层，并对所述第一金属层进行构图工艺，形成薄膜晶体管的栅极；

在形成有上述结构的衬底基板上，形成层间绝缘层，并通过构图工艺，在所述层间绝缘层和所述第一栅极绝缘层上，且至少在对应薄膜晶体管栅极的位置形成过孔；

在形成有上述结构的衬底基板上，形成第二金属层，并对所述第二金属层进行构图工艺，形成与所述至少一个目标薄膜晶体管的栅极耦接的数据引线。