[发明专利]剥离装置在审
| 申请号： | 201910006781.8 | 申请日： | 2019-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110034060A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 福士畅之 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 树脂残留 树脂层 剥离 晶片 像素 拍摄 剥离装置 磨削 探出 上将树脂 明亮度 外周缘 | ||
【权利要求书】：
1.一种剥离装置，其将树脂层从晶片剥离，在该晶片上隔着形成于该晶片的一个面上的该树脂层而固定有膜，并且该膜从该晶片的外周缘探出而形成有探出部，该剥离装置对该探出部进行把持而将该树脂层与该膜一起剥离，其中，
该剥离装置具有：
保持单元，其具有对晶片的另一个面进行保持的保持面；
把持单元，其对该保持单元所保持的晶片的该探出部进行把持；
剥离单元，其使该把持单元和该保持单元相对地从晶片的外周缘朝向中心沿径向移动，将该树脂层从晶片的一个面剥离；
拍摄单元，其对被剥离了该树脂层的晶片的一个面进行拍摄；
第一判断部，其通过该拍摄单元所拍摄的拍摄图的一个像素的明亮度对该一个像素中有无树脂残留进行判断；以及
第二判断部，在该第一判断部按照该拍摄图的每一个像素进行了有无树脂残留的判断之后，该第二判断部根据该拍摄图对有无给磨削带来不良影响的树脂残留进行判断。
2.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，
在由所述第一判断部判断为存在树脂残留的像素的合计面积与晶片的一个面的面积的比例为预先设定的比例以上时，所述第二判断部判断为存在在磨削中带来不良影响的树脂残留。
3.根据权利要求1所述的剥离装置，其中，
若判断为与已由所述第一判断部判断为存在树脂残留的像素相邻的像素也存在树脂残留，则所述第二判断部判断为存在在磨削中带来不良影响的树脂残留。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
