[发明专利]剥离装置在审

专利信息
申请号: 201910006781.8 申请日: 2019-01-04
公开(公告)号: CN110034060A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 福士畅之 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/304
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 乔婉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 树脂残留 树脂层 剥离 晶片 像素 拍摄 剥离装置 磨削 探出 上将树脂 明亮度 外周缘
【说明书】:

提供剥离装置,其对被剥离了树脂层的晶片上是否存在成为磨削不良的主要原因的树脂残留进行判断。该装置(1)从隔着形成于一个面(Wa)的树脂层(S1)而固定有膜(S2)且膜从外周缘(Wd)探出而形成有探出部(S2a)的晶片(W)上将树脂层与膜一起剥离,其中,该装置具有:单元(4),其将树脂层从晶片的一个面剥离;单元(80),其对被剥离了树脂层的一个面进行拍摄;第一判断部(191),其通过拍摄图的一个像素的明亮度对一个像素有无树脂残留进行判断;以及第二判断部(192),在第一判断部(191)按照拍摄图的每一个像素进行了有无树脂残留的判断之后,该第二判断部根据拍摄图对有无给磨削带来不良影响的树脂残留进行判断。

技术领域

本发明涉及将保护部件从晶片剥离的剥离装置。

背景技术

在半导体晶片的制造工艺中,在制作具有平坦面的晶片的情况下,例如将由硅等原材料构成的圆柱状的锭用划片锯等薄薄地切断而得到圆板状的晶片。大多情况下在该圆板状的晶片的两面上存在波纹,因此对所切出的晶片实施磨削加工,即对晶片的基于划片锯的切断面进行磨削将切断面的波纹去除而成为平坦的面。

在进行磨削加工时,例如如图9所示,在圆板状的晶片W的整个一个面Wa上利用液态树脂形成树脂层S1。这里,首先将直径大于晶片W的直径的圆形状膜S2载置于树脂层形成装置的保持工作台90的平坦的保持面90a上,从树脂提供装置91向该膜S2上提供规定的量的液态树脂。该液态树脂例如具有通过紫外线照射而硬化的性质。并且,利用保持单元92对晶片W的另一个面Wb进行吸引保持,在按照与晶片W的一个面Wa对置的方式配设的膜S2上,将晶片W从上侧按压至液态树脂,从而使液态树脂扩展而成为整个一个面Wa被液态树脂包覆的状态。接着,对于所包覆的液态树脂,例如从配设于保持工作台90的内部的紫外线照射机构93照射紫外线而使树脂层硬化。其结果是,如图10所示,晶片W成为隔着形成于晶片W的整个一个面Wa上的树脂层S1而固定有膜S2的状态。另外,膜S2从晶片W的外周缘Wd探出而形成探出部S2a。

并且,如图10所示,按照使膜S2成为下侧的方式将晶片W载置于磨削装置94的卡盘工作台940的保持面上,使磨削磨轮941从晶片W的上方下降,一边使旋转的磨削磨具941a与晶片W的另一个面Wb抵接一边进行磨削。然后,通过剥离装置(例如,参照专利文献1)将树脂层S1与膜S2一起从晶片W剥离,然后对由树脂层S1保护的晶片W的一个面Wa进行磨削,从而能够制作出两个面成为平坦面的晶片W。

专利文献1:日本特开2014-063882号公报

但是,当利用剥离装置对树脂层S1进行剥离时,有时会在晶片W的一个面Wa上残留树脂层S1。当在晶片W的一个面Wa上有树脂残留时,在对晶片W的一个面Wa进行磨削时,有时所残留的树脂会附着于磨削磨具941a的磨削面(下表面)而产生磨削不良。

发明内容

由此,本发明的目的在于提供剥离装置,其在将树脂层与膜一起从晶片剥离的情况下,能够判断在被剥离了树脂层的晶片W上是否存在成为磨削不良的主要原因的树脂残留。

根据本发明,提供剥离装置,其将树脂层从晶片剥离,在该晶片上隔着形成于该晶片的一个面上的该树脂层而固定有膜,并且该膜从该晶片的外周缘探出而形成有探出部,该剥离装置对该探出部进行把持而将该树脂层与该膜一起剥离,其中,该剥离装置具有:保持单元,其具有对晶片的另一个面进行保持的保持面;把持单元,其对该保持单元所保持的晶片的该探出部进行把持;剥离单元,其使该把持单元和该保持单元相对地从晶片的外周缘朝向中心沿径向移动,将该树脂层从晶片的一个面剥离;拍摄单元,其对被剥离了该树脂层的晶片的一个面进行拍摄;第一判断部,其通过该拍摄单元所拍摄的拍摄图的一个像素的明亮度对该一个像素中有无树脂残留进行判断;以及第二判断部,在该第一判断部按照该拍摄图的每一个像素进行了有无树脂残留的判断之后,该第二判断部根据该拍摄图对有无给磨削带来不良影响的树脂残留进行判断。

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