[发明专利]一种多晶硅料的清洗装置和清洗方法

权利要求书

1.一种多晶硅料的清洗装置，其特征在于，包括加热装置、酸清洗液罐、纯水罐、硅料容器、冷却器、酸液回收罐；

在所述酸清洗液罐和纯水罐的底部设置所述加热装置，所述酸清洗液罐顶部通过酸蒸汽进口管连接于所述的硅料容器，所述纯水罐通过水蒸气进口管连接于所述的硅料容器；所述硅料容器顶部顺序连接所述冷却器和酸液回收罐，所述酸液回收罐通过重力自流管连接所述清洗液罐。

2.根据权利要求1所述的多晶硅料的清洗装置，其特征在于，所述酸清洗液罐顶部通过酸蒸汽进口管连接于所述的硅料容器的底部；所述纯水罐顶部通过水蒸气进口管连接于所述的硅料容器的底部。

3.根据权利要求1所述的多晶硅料的清洗装置，其特征在于，所述加热装置为管式电加热器；所述硅料容器为聚四氟乙烯材质，容器横截面为圆形或椭圆形，器壁上连接有抽真空装置。

4.根据权利要求1所述的多晶硅料的清洗装置，其特征在于，在硅料容器的下部设置有蒸汽分布器，所述酸蒸汽进口管和所述水蒸气进口管均连接所述蒸汽分布器；所述蒸汽分布器包括多孔板，板上开孔的直径为1-2mm。

5.一种多晶硅料的清洗方法，其特征在于，包括步骤：

a)将需要清洗的硅料放至硅料容器中，将所述硅料容器放置于避光的环境；

b)将硝酸与氢氟酸加入所述清洗液罐2，用加热装置加热至产生蒸汽，混合蒸汽进入硅料容器中进行清洗，清洗了硅料的混合蒸汽从硅料容器顶部排出，经冷却装置回收至酸液回收罐，

c)将步骤b)中的硝酸与氢氟酸蒸汽切换成高纯水水蒸汽，水蒸气与硅料残留的酸液混合稀释，除去残留的混酸；

d)将步骤c)清洗后的硅料进行干燥。

6.根据权利要求5所述的多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤b)中，硝酸与氢氟酸的混合的质量比例为6:1-1:6，加热温度在110-200℃。

7.根据权利要求5所述的多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤b)中，混合酸与硅料的质量比例10:1-200:1，清洗时间为1-600s。

8.根据权利要求5-7任一项所述的多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤b)中，硝酸与氢氟酸混合的质量比例为1：2-1:4，清洗时间为20-200s。

9.根据权利要求5-7任一项所述的多晶硅料的清洗方法，其特征在于，步骤c)中，所述高纯水与硅料的质量比例为1:1-100：1，清洗时间为1-1000s。

10.根据权利要求5-7任一项所述的多晶硅料的清洗方法，其特征在于，所述步骤d)采用真空干燥，真空度在2.6Kpa以下，干燥温度为0-60℃，干燥时间为1-24min。